32G系列的DataFlash/EEPROM连续写入900W次了怎么还没挂,太辛苦了

fei***

激流 发表于 2024-3-7 09:11
更正：我的目的是刻坏1个特定地址字节作为芯片标记（不一定全部位为0），以区别于新的芯片，别人搞到自己的 ...

思路新奇

jw***

坏的话也是一个扇区坏吧？

激***

只是写含0的字节位坏

xxkj***

今天专门前来看看楼主的eeprom是否挂了的。

_奶***

xxkj*** 发表于 2024-3-7 11:09
今天专门前来看看楼主的eeprom是否挂了的。

这现在不是还没有确定楼主的测试方法的合理性么  

咫尺***

运行到最后看看实际多少次公布一下，不过单个测量样本太少了

xxkj***

_奶*** 发表于 2024-3-7 11:13
这现在不是还没有确定楼主的测试方法的合理性么

次数多得的确不符合理论，我也觉得不太可能

冷***

过来看看到底啥时候坏

_奶***

xxkj*** 发表于 2024-3-7 17:17
次数多得的确不符合理论，我也觉得不太可能

不管咋招吧，，希望能在这个帖子里面讨论出一个合理的测试程序 就是挺好的了，，最好官方能指导一下。包括测试的方法，测试环境之类的。。至于最终结果不同芯片肯定是参差不齐的，只要符合手册里的数据那就是OK的问题不大

fei***

冷*** 发表于 2024-3-7 17:27
过来看看到底啥时候坏

目前测试结果（样本目前就测了几次，仅供参考）：
一个扇区擦除，单个数据（累计写入次数储存，4字节）写入上千万次没出问题。
一个扇区擦除，然后512字节都写入0x00，百万次就报错了，出现偶尔出错的情况。