32G系列的DataFlash/EEPROM连续写入900W次了怎么还没挂,太辛苦了

fei***

飞捷 发表于 2024-3-6 15:19
你是读EEPROM到BUF，然后再刷新BUF【ADDR】为次数，然后再把写入EEPROM，  这过程中，你一直在读BUF[ADDR ...

这是读取eeprom里面N个数据，改变其中要更改的数据再写入eeprom，因为擦除片区会全部置0xFF，所以其他不需要改的数据要先读出来，这里逻辑没问题

fei***

飞捷 发表于 2024-3-6 15:19
你是读EEPROM到BUF，然后再刷新BUF【ADDR】为次数，然后再把写入EEPROM，  这过程中，你一直在读BUF[ADDR ...

我数值每次+1就进了这个函数，进行了一次擦除写入，没毛病。

xxkj***

有空也可以拿个STC8H试试

21cns***

飞*** 发表于 2024-3-6 14:36
代码看了，主函数没有贴出来。你是1毫秒保存一次，读取一次，你得先查一下擦除一个片区需要多少时间？你 ...

EEPROM的IAP操作过程中系统处于IDLE状态（读写擦除完成后才可能执行后面的代码），代码中的延迟应该和读写擦除操作时间没关系吧？

读写擦除的时间是由寄存器IPA_TPS控制的，只要时钟和寄存器IPA_TPS设置合理就不会出现你担心的问题。

飞***

fei*** 发表于 2024-3-6 15:23
这是读取eeprom里面N个数据，改变其中要更改的数据再写入eeprom，因为擦除片区会全部置0xFF，所以其他不 ...

监控这个temp才对

xlmt***

是不是写后再读的时间间隔太短了

fei***

飞*** 发表于 2024-3-6 16:42
监控这个temp才对

你没理解我的读写算法，我是拆成2个int存的，用函数Mdata_Read_Long读取的是同一个位置

飞***

fei*** 发表于 2024-3-6 17:13
你没理解我的读写算法，我是拆成2个int存的，用函数Mdata_Read_Long读取的是同一个位置 ...

静静等待多少次才坏

fei***

飞*** 发表于 2024-3-6 17:30
静静等待多少次才坏

目前还没坏，我调别功能了，另外找了新的两个来测，新的目前200w次了也没出问题

激***

在STC8G1K17上做过类似测试（主频24MHz，读写周期约1mS），同一地址擦除后读出判断为0Xff否，写入0x00后读出判断是否一致，约8小时能擦写坏部分位。