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楼主: 神农鼎

一灯大师,I/O口控制: LED点灯, NPN/PNP三极管, N-MOS管/P-MOS管, 光耦, 继电器

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发表于 2024-11-27 11:16:34 | 显示全部楼层
这个三相的驱动电路没有看明白。它的驱动信号与mos管的控制逻辑能不能详细解答一下。

单独拿出一相分析,在不考虑死区的情况下,L H信号是实时反相的吗?
截图202411271114035095.jpg

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高低侧驱动信号是同相的 输出0: 低侧驱动信号为1,下MOS管导通,输出0,1uF自举电容通过二极管充电到12V,高侧驱动信号也为1,三极管导通,三极管C/上MOS管G=0V,VGS=0,上MOS管截止,但1uF自举电容被充电到12V 输  详情 回复 发表于 2024-11-27 13:29
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发表于 2024-11-27 13:29:12 | 显示全部楼层
twdo*** 发表于 2024-11-27 11:16
这个三相的驱动电路没有看明白。它的驱动信号与mos管的控制逻辑能不能详细解答一下。

单独拿出一相分析, ...

高低侧驱动信号是同相的
输出0:
低侧驱动信号为1,下MOS管导通,输出0,1uF自举电容通过二极管充电到12V,高侧驱动信号也为1,三极管导通,三极管C/上MOS管G=0V,VGS=0,上MOS管截止,但1uF自举电容被充电到12V
输出1:
低侧驱动信号为0,下MOS管截止,高侧驱动信号为也0,三极管截止,1uF自举电容对上MOS管VGS充电,上MOS管VGS=12V导通,S=D=12V,G=12+12=24V,这就是自举过程,二极管VAK=12-24=-12V截止,三极管VCE=24V
耐压要求:二极管反向耐压至少为电源电压,三极管VCE耐压至少为2倍电源电压
DebugLab
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发表于 2024-11-27 13:51:10 | 显示全部楼层
Debu*** 发表于 2024-11-27 13:29
高低侧驱动信号是同相的
输出0:
低侧驱动信号为1,下MOS管导通,输出0,1uF自举电容通过二极管充电到12V ...

感谢版主解答。一直带入之前的H桥上下管互补。这个也这么想怎么看也不对。如果是同相就看懂了。
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神*** 发表于 2023-11-9 11:29
梁工有交代:
电磁继电器使用时要注意几个问题:
1、选择继电器时根据具体使用场合(电流浪涌)选择触点电 ...

请问第二点触点灭弧电路RC如何正确的计算,如我现在使用继电器的触点去切交流异步电机800W的电源
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发表于 2024-12-1 18:01:42 | 显示全部楼层
梁*** 发表于 2023-11-20 11:06
线圈驱动类继电器(包括接触器)从线圈通电到触点吸合需要一定的时间,并且同一型号、同一批次,其吸合时 ...

如果这种场景用大功率的可控硅会不会好一点?

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也可以,但要注意抑制浪涌电流、抑制反电动势。  详情 回复 发表于 2024-12-1 18:47
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发表于 2024-12-1 18:47:17 | 显示全部楼层
licha*** 发表于 2024-12-1 18:01
如果这种场景用大功率的可控硅会不会好一点?

也可以,但要注意抑制浪涌电流、抑制反电动势。
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发表于 2024-12-2 09:46:01 | 显示全部楼层
梁*** 发表于 2024-12-1 18:47
也可以,但要注意抑制浪涌电流、抑制反电动势。

浪涌抑制反向电动势的抑制有没有设计参考的资料 ?

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我没有现成的,你可以去网上搜搜看。  详情 回复 发表于 2024-12-2 10:35
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发表于 2024-12-2 10:35:42 | 显示全部楼层
licha*** 发表于 2024-12-2 09:46
浪涌抑制反向电动势的抑制有没有设计参考的资料 ?

我没有现成的,你可以去网上搜搜看。
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发表于 2024-12-3 07:52:53 | 显示全部楼层
感谢,楼主介绍的很仔细,看来以后收获很多

8位程序---换个STC32G.h头文件,换个C251编译器就直接到STC32的高度了;
          想回到8位机,则换个STC8H.h头文件,换个C51编译器就回到8位机了.
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发表于 2024-12-6 14:03:46 | 显示全部楼层
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