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发表于 2025-8-14 10:01:32
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STC-FOC车规-24万转-小功率原理图-20250910,提供程序支持:
STC-FOC-24万转-小功率:
STC-FOC-24万转-小功率:
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STC-FOC车规-24万转-中功率原理图-20250902,提供程序支持:
2026/1/20,注意:
因内部测试使用的功率MOS(AGM314MD)货源存在问题,
ID和Ciss都偏小,在测试时未能发现潜在问题
批量生产使用的MOS是正品,ID和Ciss是正常的,所以比较难驱动(PMOS关断慢,会异常发热),
要减小电阻加大PMOS驱动电流并加大死区
电阻受0603封装功率限制,阻值不能过小,后续会改为0805或1206封装,
减小阻值加大PMOS驱动电流以允许更小的死区
经测试计算,680Ω和390Ω电阻改为270Ω 1206封装,
死区设置为30,可以基本消除穿通电流,
但六个电阻功耗较高,这样是治标不治本的,仅对成本极其敏感时可以考虑,
彻底解决此问题需要修改电路结构,如上管用P管,使用三极管图腾柱结构,
如上管用N管,使用电容二极管自举结构
STC-FOC-24万转-中功率:
STC-FOC-24万转-中功率:
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STC-FOC车规-24万转-大功率原理图-20250902,提供程序支持:
STC-FOC-24万转-大功率:
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STC-FOC车规-24万转-高压-310V原理图-20250924,提供程序支持:
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