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梁***

Debu*** 发表于 2025-8-11 17:31
梁工的图，D1起什么作用没看明白
还有MOS一般VGS耐压±20V，电源电压24V，
PMOS的G极下拉到GND，VGS是不是 ...

D1是抗饱和的，让三极管不进深度饱和，能加快截止速度。现在都换成2N7002，不需要D1了。
图中电源是12V，如果用24V，需要串一个电阻分压。

Debu***

梁*** 发表于 2025-8-11 20:04
D1是抗饱和的，让三极管不进深度饱和，能加快截止速度。现在都换成2N7002，不需要D1了。
图中电源是12V， ...

学习

Debu***

王*** 发表于 2025-8-11 19:46
可以用si2308这款mos，电流更小一些，确实用ao3400有点大材小用了。
使用mos不使用三极管，是因为mos作为 ...

三极管速度更快
MOS存在Ciss（GS电容）和Coss（GD电容）
由于电容两端电压不能突变
Ciss会降低G极电压斜率，正因为MOS是电压控制型器件，该电容的存在才会降低速度
还有G极阈值也是比较高的，越高充电时间越长
而三极管是电流控制型器件，电流是瞬间建立的，等效串联电感的影响可以忽略不计
Coss会造成米勒平台，D极电压越高影响越大

高速小信号，三极管更具有优势，如2SC3356三极管的特征频率（增益为1的频率）是7GHz
而MOS要想达到这个频率，除了要求特殊的材料与工艺，就只有芯片里面制程是个位数nm的了
MOS要想达到很快的速度，要求较大的驱动电流，而单片机IO最大电流只有20mA
所以单片机IO直接驱动的晶体管，还是建议用三极管
三极管也可以构成图腾柱电路这样的结构，用于MOS驱动

SOT-23的低栅压大电流管，VGS更低，如3415和3416，最大VGS只有±8V
这些MOS为了防止VGS过压，甚至在里面又加了稳压管
3A左右的1S电调目前已知的有DP-3A、MX-3A、Supermicro3P5A
硬件基本相同，都是3N+3P的，MOS用的就是3415+3416
软件也是开源的BLheli，德国人写的，八千多行汇编
几年前专门做小飞机的模友要，给他做了一大堆
体积重量要求非常严格，PCB要半毫米半毫米、零点一克零点一克的往下减
为了体积小电流大还可以贴两层MOS，当然G极波形就难看了
一天手工焊100个QFN，算是把焊QFN给练会了
他说测试过多个型号，3415+3416是最好用的，温升和推力综合评估最佳
（后面有图片和视频）
所以SOT-23的也没有必要为了程序通用加三极管反相了，小功率还这么复杂就没有必要了
IO直驱就完了，虽然G极波形不是很好看，但是能用，为了体积小
小功率3N+3P可以用SOP-8封装的N+P MOS

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Debu***

梁*** 发表于 2025-8-11 20:04
D1是抗饱和的，让三极管不进深度饱和，能加快截止速度。现在都换成2N7002，不需要D1了。
图中电源是12V， ...

几年前2手市场买的电调，发现只是固件和硬件不匹配的问题，反推原理图改IO和驱动电平刷了个BLheli固件可以用了
6N管的结构，上管分立元件自举，三极管是MMBT3904（丝印1AM），这个三极管需要加防止深度饱和的二极管吗

神***

选的器件的价格，都同时给出，大家选型好参考

梁***

Debu*** 发表于 2025-8-11 17:44
AO3400：ID=5.7A，Ciss=630pF
是SOT-23封装的功率管，不宜做G极驱动
建议用三极管，梁工的图合理一些

反相驱动管使用2N7002，几十ns，速度很快的。

2N7002,  RMB0.038

梁***

Debu*** 发表于 2025-8-11 21:14
三极管速度更快
MOS存在Ciss（GS电容）和Coss（GD电容）
由于电容两端电压不能突变

三极管导通快，退出饱和慢，
比如SS8050、9014这种，导通很快，但是退出深度饱和到截止很慢的，甚至us级别，
加常规的抗饱和电路能达到0.1us（VCE=1V），
只加个二极管则要0.3us。

而小电流的MOS速度快的，比如2N7002，截止时间100ns之内。

王***

神*** 发表于 2025-8-11 22:21
选的器件的价格，都同时给出，大家选型好参考

我的方案里：
小功率部分: AO3400(0.03RMB)2.5A，NMOS; AO3401(0.03RMB)2.8A，PMOS
中功率部分：NCE30D2519(全新0.65RMB、拆机0.2RMB)，P+N合封，25A/-19A最大Id
大功率部分：LR7843(0.14RMB)，NMOS，161A最大Id

2N7002,  RMB0.038

Debu***

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神***

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