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楼主: 神农鼎

STC 51 常见【MOS管】控制电路,网友【除盅大师】参考线路,大家帮核对补充

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发表于 2024-3-25 15:27:08 | 显示全部楼层
好资料,感谢分享
打工人
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发表于 2024-3-26 08:31:42 | 显示全部楼层
感谢大神分享,学习了!~
You can you up!~No can no BB!~
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发表于 2024-5-10 10:05:35 | 显示全部楼层
今天又因为板子重新看了一遍,感谢除蛊大师!感谢梁工!
You can you up!~No can no BB!~
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发表于 2024-5-10 16:35:29 | 显示全部楼层
系统!生动!形象! 感谢除蛊大师!感谢梁工!
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无情的代码机器

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发表于 2024-12-17 09:26:23 | 显示全部楼层
感谢两位大佬,学习一波

此处是否笔误?:
截图202412170924296363.jpg

漏源极击穿电压(BVDSS):当施加在MOSFET漏极和源极之间的电压超过了其最大额定漏源极击穿电压时,可能会发生雪崩击穿或者直接导致器件损坏。

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VDS耐压要大于……少了耐压两个字  发表于 2025-7-17 12:36
三天不学习,赶不上刘少奇~
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发表于 2024-12-18 14:29:32 | 显示全部楼层

感谢分享

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发表于 2025-2-20 13:29:01 | 显示全部楼层
感谢分享,收藏。
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发表于 2025-7-16 11:25:01 | 显示全部楼层
收藏,学习了
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发表于 2025-7-17 11:02:57 | 显示全部楼层
Debu*** 发表于 2023-10-18 01:58
MOSFET一般使用共源极(Source,以下称S极)接法,其中N沟道(以下称N型)MOSFET,S极接地,栅极(Gate,翻译为 ...

这个自举电路部分有很大风险,建议楼主再考虑下.
1,下管开通前必须让上管驱动三极管也开通,不然两MOS直通烧毁
2,上电时,或两输入均低电平时候,上管GS电压受离散参数影响,很大概率会开通.
3,不适合更高电压供电场合.

点评

那只是原理上的描述,实际使用要考虑你所说的问题: [attachimg]108757[/attachimg]  详情 回复 发表于 2025-7-17 12:26
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超级版主

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发表于 2025-7-17 12:26:05 | 显示全部楼层
网*** 发表于 2025-7-17 11:02
这个自举电路部分有很大风险,建议楼主再考虑下.
1,下管开通前必须让上管驱动三极管也开通,不然两MOS直通 ...

那只是原理上的描述,实际使用要考虑你所说的问题:

未命名1.PNG

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