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楼主: darryman

STC8A_PWM15bit.c库函数疑问

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发表于 2025-4-3 16:53:14 | 显示全部楼层
梁*** 发表于 2024-6-12 16:42
请测试、参考我的程序:

请先别修改程序, 直接下载PWM.hex文件测试.

梁工您好,这个程序我测试过单独测试P6.1没有问题如图1,经过P6.1控制一个EL 357N 光耦,通过光耦控制一个F4905S的MOS管,输出的波形不正常,如图2.请问这个问题怎么解决?
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微信图片2_20250403163701.jpg
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IRF4905在VGS=10V时,总充电电荷为180nC,为了简单计算,认为总输入电容不变,则输入电容为180/10=18nF。 驱动电路为两个20K电阻分压,则等效电阻为10K,RC值=10K*18nF=180us,而PWM周期不到100us,图中低电平大约60  详情 回复 发表于 2025-4-3 17:12
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发表于 2025-4-3 17:12:53 | 显示全部楼层
crtb*** 发表于 2025-4-3 16:53
梁工您好,这个程序我测试过单独测试P6.1没有问题如图1,经过P6.1控制一个EL 357N 光耦,通过光耦控制一 ...

IRF4905在VGS=10V时,总充电电荷为180nC,为了简单计算,认为总输入电容不变,则输入电容为180/10=18nF。
驱动电路为两个20K电阻分压,则等效电阻为10K,RC值=10K*18nF=180us,而PWM周期不到100us,图中低电平大约60us,则MOSFET的栅极会一直有电压,会一直处于导通状态,不能关断。

根据VGS=10V时总充电量为180nC,假设要求1us开通或截止,则对栅极充放电电流=180nC/1us=0.18A=180mA,这么大的驱动电流,应该使用高速光耦+三极管扩流驱动,或者使用驱动IC。
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发表于 2025-4-3 17:22:16 | 显示全部楼层
梁*** 发表于 2024-6-12 16:42
请测试、参考我的程序:

请先别修改程序, 直接下载PWM.hex文件测试.

梁工您好,我测试的这个程序,单独测试P6.1口,观察示波器,波形没有问题,通过这个IO口控制一个光耦EL 357N,通过这个光耦控制一个MOS 管,型号为F4905S,
从M0S 管的G极测量,波形成弧形,但是还是有规律,从M0S管输出端测量,就完全没有规律了,比较凌乱,这个怎么解决呢?



微信图片_20250403163654.jpg
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IRF4905在VGS=10V时,总充电电荷为180nC,为了简单计算,认为总输入电容不变,则输入电容为180/10=18nF。 驱动电路为两个20K电阻分压,则等效电阻为10K,RC值=10K*18nF=180us,而PWM周期不到100us,图中低电平大约60  详情 回复 发表于 2025-4-3 17:36
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发表于 2025-4-3 17:36:20 | 显示全部楼层
crtb*** 发表于 2025-4-3 17:22
梁工您好,我测试的这个程序,单独测试P6.1口,观察示波器,波形没有问题,通过这个IO口控制一个光耦EL 3 ...

IRF4905在VGS=10V时,总充电电荷为180nC,为了简单计算,认为总输入电容不变,则输入电容为180/10=18nF。
驱动电路为两个20K电阻分压,则等效电阻为10K,RC值=10K*18nF=180us,而PWM周期不到100us,图中低电平大约60us,则MOSFET的栅极会一直有电压,会一直处于导通状态,不能关断。

根据VGS=10V时总充电量为180nC,假设要求1us开通或截止,则对栅极充放电电流=180nC/1us=0.18A=180mA,这么大的驱动电流,应该使用高速光耦+三极管扩流驱动,或者使用驱动IC。
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发表于 2025-4-3 19:39:47 | 显示全部楼层
梁工您好,基于这个电路板已经完成,
我能不能在这个电路板的基础上,更换一些封装一样,性能更优的电子元件。
如果有的话,能不能推荐一下,好比高速光藕的型号,或者电阻大小的更改等?
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