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官方FOC中功率开发板MOS管发热严重,代码怎么优化

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发表于 2026-10-12 17:53:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
FOC.zip (1.14 MB, 下载次数: 85) FOC代码,下载频率12MHZ,求大神给个优化建议

截图202610121738004386.jpg
PWM模块时钟经过PLL倍频至144MHZ,中央对齐,PWM周期3600,144000000/(3600*2)=20khz,PWM输出20KHZ频率
截图202610121739433194.jpg
正弦波采用查表,表格使用 STCISP软件生成,范围0-3600,360个对象
截图202610121743599519.jpg
从表格取出的PWM值乘以设定的PWM值再除以3600的PWM周期,量化到PWM设定值范围内
之前我的电源一直给6V电压,发热还算正常。但把电压调到电机的工作电压时,MOS发热非常严重,直接把我电源电压都拉低了
我的PWM只给了50,MOS管就开始发热,不知道什么原因,如果有板子的帮忙测下原因
171637cye1fm3yymy3yqqy.jpg 171710i1vue97uv2he10s2.jpg
压缩包内有命令软件,步骤如图
有条件的帮忙测下原因该如何改进,感激不尽
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论坛元老

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发表于 2026-10-13 00:21:42 | 显示全部楼层
可能问题在于Mos本身
可能需要关注Id和Ciss参数
https://www.stcaimcu.com/thread-19545-1-1.html
偶尔看看玩玩
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发表于 2026-10-14 16:09:18 | 显示全部楼层
可以试一下大功率的开发板,中功率的需要提高一点死区,板子本身Mos的Ciss稍微有点大,所以驱动边沿没有那么陡峭,就会发热
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 楼主| 发表于 2026-10-14 16:16:59 | 显示全部楼层
王*** 发表于 2026-10-14 16:09
可以试一下大功率的开发板,中功率的需要提高一点死区,板子本身Mos的Ciss稍微有点大,所以驱动边沿没有那 ...

现在我的死区时间设置成0x80,一万转以下MOS微热还行,但是再往上拉电流瞬间上去,
从0.4A往上PWM拉一点点电流直接窜到1A,甚至2A。
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