请教前辈有咩有替代TIP122的MOS，TO220封装，4.5V就能打开

xiaob***

耐压50V就行，驱动24V电磁阀的

晓***

常用的IRF630N IRF730N这些都可以。
也可以考虑低Vgsth的IRFZ24N、IRFZ34L之类的，只是耐压低一些

xiaob***

晓*** 发表于 2026-4-8 19:31
常用的IRF630N IRF730N这些都可以。
也可以考虑低Vgsth的IRFZ24N、IRFZ34L之类的，只是耐压低一些
...

哦，手上有IRF640N，200V，18A，但是我都用12V驱动的啊。4.5V能行？昨天测试了一下推挽输出可以到接近5V
还有一个问题，之前的电路是用TIP122的，就是只有一个电阻驱动，用MOS的话，在复位时IO是高阻态，对于MOS会不会有危险？按理应该在G上对地拉一个电阻的吧

angm***

TIP122 是一款 100V、5A 的 NPN 达林顿晶体管，在开关应用中通常被逻辑电平 MOSFET 所替代，因为逻辑电平 MOSFET 具有更低的压降和更高的效率。合适的 MOSFET 替代品包括 IRLZ44N（最常用）、FQP30N06L 和 FDC653N（表面贴装）。

推荐的 MOSFET 替代品（逻辑电平）

这些 MOSFET 可以像 TIP122 一样，由 5V 微控制器（例如 51单片机）直接驱动。

- IRLZ44N：55V，47A - 优秀的通用替代品，压降极低，无需大型散热器即可实现高电流。

- FQP30N06L：60V，32A - 适用于需要高电流的低压负载。

- FDC653N： 30V，5A 适用于表面贴装应用，在高密度设计中效率高。

推荐的逻辑电平 MOSFET（60V，5A+）

- STS5NF60L（意法半导体）：一款常用的 N 沟道 60V、5A MOSFET，采用 8 引脚 SOIC 封装。它具有低导通电阻，专为逻辑电平驱动而设计，适用于 5V 系统。

- DMN6066SSS-13（Diodes 公司）：一款 N 沟道 60V、5A MOSFET，采用 SO-8 封装，适用于具有较低阈值电压的逻辑电平开关应用，常用于消费电子产品。

- 2SK4017（YMS Parts）：一款 60V、5A MOSFET，通常以封装形式提供，适用于通用功率开关应用，具有 N 沟道极性。

- PXN012-60QLJ：一款高性能的 60V、42A MOSFET，适用于 3.3V/5V 逻辑电平，具有低导通电阻，常用于驱动螺线管等感性负载。

- RD3L050SNTL1（ROHM）：一款采用 DPAK 封装的 N 沟道 60V、5A MOSFET。

晓***

xiaob*** 发表于 2026-4-9 07:43
哦，手上有IRF640N，200V，18A，但是我都用12V驱动的啊。4.5V能行？昨天测试了一下推挽输出可以到接近5V
...

IRF640N可以用4.5~5V驱动，只是Ron比用10V大一些，但驱动电磁阀应该是够了
另外，考虑到单片机复位期间的高阻，是需要下拉的，10K左右的阻值就合适，不想改板的话只能电路板背面搭个直插电阻了。

晓***

angm*** 发表于 2026-4-9 09:00
TIP122 是一款 100V、5A 的 NPN 达林顿晶体管，在开关应用中通常被逻辑电平 MOSFET 所替代，因为逻辑电平 M ...

楼主限定了TO-220封装，可能是不想改电路板

angm***

晓*** 发表于 2026-4-9 11:27
楼主限定了TO-220封装，可能是不想改电路板

有选择TO-220封装

xiaob***

晓*** 发表于 2026-4-9 11:24
IRF640N可以用4.5~5V驱动，只是Ron比用10V大一些，但驱动电磁阀应该是够了
另外，考虑到单片机复位期间的 ...

是，比较麻烦，就改一个板，还是用122吧，压降0.76，也还行