请梁工和各位师傅帮忙指点一下

梁***

jkwn*** 发表于 2026-4-25 16:08
请教梁工我现在使用的是POMS加NMOS驱动直流电机，电机正反转都是下管nmos常开上管pmos用pwm控制频率20K这 ...

手册明确标明：
LO输出电流45mA，灌入电流280mA，会让N-MOS导通时间比截止时间长。
HO输出电流260mA，灌入电流40mA，会让P-MOS导通时间比截止时间长。
再机上有60ns的死区，还有自锁功能，所以驱动会非常可靠。
鉴于上述功能，栅极电阻不需要再反并二极管，只需要串联10欧姆左右的电阻即可。

jkwn***

梁工 发表于 2026-4-25 21:54
手册明确标明：
LO输出电流45mA，灌入电流280mA，会让N-MOS导通时间比截止时间长。
HO输出电流260mA，灌 ...

谢谢梁工，因为我现在用的pmos 加nmos结构，所以正反转都是对角一个下管nmos常开一个上管pmos用pwm驱动，这种驱动方式我觉得非常好您看可以吗？因为不是半桥那种同一侧上管和下管交替打开，我觉得是没有短路风险的

梁***

jkwn*** 发表于 2026-4-26 11:47
谢谢梁工，因为我现在用的pmos 加nmos结构，所以正反转都是对角一个下管nmos常开一个上管pmos用pwm驱动， ...

用2路PWM驱动上管、2个IO驱动下管，这是常用的H桥驱动电路，不需要自举电路，占空比可以长时间100%，而带自举电路的则不能长时间100%占空比。
至于短路风险，驱动芯片本身有自锁功能，还有死区，加上驱动时充电慢(导通慢）、放电快（截止快），基本可以保证不会出现上下管同时导通而出现短路的情况。
你的驱动方法，即一个P管输出PWM，本侧N管截止，另一半桥的P管截止，N管连续导通，这种驱动方式减速慢，一般的应用没有问题，但如果要求快速响应，则驱动侧使用互补PWM输出即可。