有个疑问,之前我用0.1uf都可以掉电保存.现在2.2uf都不行了

manz***

vb2*** 发表于 2025-5-9 09:30
保险起见就是10uf电容,肯定够够的了
昨天我试了0.1uf,也能写,但是偶尔会乱码 ...

我直接用1000uf电容，大力出奇迹，总共也就保存20几个参数

vb2***

manz*** 发表于 2025-5-9 09:37
我直接用1000uf电容，大力出奇迹，总共也就保存20几个参数

1000uf按照我这个的话,绰绰有余了.
如果单单只是用个掉电保存的话.真的有点浪费了

xxkj***

vb2*** 发表于 2025-5-9 09:29
确实是不靠谱,但是暂时我没有别的办法了.
搜了一下,最好的就是比较器.
其他的adc,IO口,pwm

数据不太严格还好

xxkj***

不知道没有比较器的MCU，能否采用下面的电源供给电路来检测电压，尽早做出断电保存数据的决断（C1可以根据实验确定容量）

vb2***

xxkj*** 发表于 2025-5-9 10:27
数据不太严格还好

测试好几个小时了.  没见失误过,都能正常写入,也能正常读取
我一共就读 4个字节,   一个u16 ,三个u8

vb2***

xxkj*** 发表于 2025-5-9 10:35
不知道没有比较器的MCU，能否采用下面的电源供给电路来检测电压，尽早做出断电保存数据的决断（C1可以根据 ...

这个可以,昨天我就见过这个电路.不过不是用的adc, 是用的io口,通过调整R1R2分压,给出实际掉电检测电压.文章上建议5v系统用4v来检测

你这个二极管给我启发了.
加上二极管可以更好的延迟掉电后的供电时间

xxkj***

vb2*** 发表于 2025-5-9 10:41
测试好几个小时了.  没见失误过,都能正常写入,也能正常读取
我一共就读 4个字节,   一个u16 ,三个u8 ...

你的LVD中断是选择那个最大的门槛电压3.0V吗？

vb2***

xxkj*** 发表于 2025-5-9 10:46
你的LVD中断是选择那个最大的门槛电压3.0V吗？

都试了.全部没问题.
都可以正常写入

xxkj***

vb2*** 发表于 2025-5-9 11:06
都试了.全部没问题.
都可以正常写入

估计你的整个电路的耗电较少，电流小，所以到了2.0V还可以保存数据，但一般选择那个最大的还是比较保险些
就不知道低电压写EEPROM，会不会对存储介质造成什么损伤，或者单独只是写入出错

vb2***

xxkj*** 发表于 2025-5-9 11:10
估计你的整个电路的耗电较少，电流小，所以到了2.0V还可以保存数据，但一般选择那个最大的还是比较保险些
...

是的,肯定是3v好一点.电容大一点.
我测试完下限后,心里就有底了.
耗电的话,我进低压中断后第一时间关闭全部的io口.
写完eeprom了马上打开消耗完电量