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关于稳压二极管限流电阻位置的问题请教

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发表于 2025-4-11 00:59:32 | 显示全部楼层 |阅读模式
想做一个 Nmos驱动Pmos的电路 控制 汽车的12v电路带一个80w的负载 控制的信号也是汽车12v电路
net1就是开关信号的来源,out1就是负载的正极
前几日画了一个电路图传到论坛来请教 前辈指导说 要把tvs换成稳压二极管
4.png
就是D4 和 D1这两个 ,因为用的mos vgs都是+-20v的,我怕有尖峰电压 所以就给上了tvs,不过前辈让换成 稳压二极管
我也不知道为何要换 前辈没给讲
不过这里又出现了一个新问题
稳压二极管要做限流 我不知道这个限流电阻要放在什么位置 换了16v的为稳压二极管 就是d6和d5
1.png
位置1 把限流电阻放在稳压二极管的下面
2.png
位置② 把限流电阻放在前面 不过我感觉这样 会影响mos的g极开关速度
3.png
这方面确实不懂 特来请教 希望前辈可以给讲解讲解 谢谢
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发表于 2025-4-11 01:03:00 | 显示全部楼层
在设计和优化NMOS驱动PMOS的电路时,稳压二极管(Zener Diode)的使用及其限流电阻的布局确实是一个关键问题。以下是对您提出的问题的专业分析:

1. 稳压二极管与TVS二极管的区别:
TVS二极管(瞬态电压抑制二极管)主要用于保护电路免受瞬态高压的损害,其响应时间极快,适合处理突发的电压尖峰。
稳压二极管则用于提供一个稳定的参考电压,其工作是基于齐纳效应,适用于需要稳定电压的场合。

2. 为何更换为稳压二极管:
在您的电路中,如果主要目的是保护MOS管的栅极(G极)免受过高电压的损害,而电路中的电压波动较为平缓,那么使用稳压二极管是更合适的选择。稳压二极管可以提供更精确的电压保护,而TVS二极管可能在某些情况下响应过快,导致不必要的电路动作。

3. 限流电阻的位置选择:
位置1(限流电阻在稳压二极管下方):这种布局可以确保稳压二极管在正常工作电压下获得足够的电流,从而稳定工作。同时,这种布局对MOS管的开关速度影响较小,因为电阻不直接串联在栅极驱动路径上。
位置2(限流电阻在稳压二极管前方):这种布局可能会影响MOS管的开关速度,因为电阻会限制栅极充电和放电的电流,从而影响开关的快速性。

4. 推荐方案:
基于上述分析,建议采用位置1的布局。这种布局不仅能够保证稳压二极管的正常工作,还能最小化对MOS管开关速度的影响。此外,确保限流电阻的阻值选择适当,以提供足够的限流效果,同时不显著增加电路的功耗。

5. 其他考虑:
在选择稳压二极管时,应确保其稳压值略高于电路中的最大预期电压,以提供足够的保护余量。
考虑电路的整体功耗和热管理,确保所有元件在安全工作范围内。

通过上述分析,您可以更合理地设计电路,确保其稳定性和可靠性。希望这些建议对您有所帮助。

[本文内容由国芯人工智能辅助生成,仅供参考]
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发表于 2025-4-11 06:52:11 | 显示全部楼层
TVS是防静电的,5V的TVS要7V左右才会开始导通
防止G极过压,稳压管更合适
可以直接使用这里面最后一张图:
https://www.stcaimcu.com/forum.php?mod=redirect&goto=findpost&ptid=4830&pid=33161


DebugLab
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发表于 2025-4-11 19:26:57 | 显示全部楼层
稳压二极管直接替代TVS即可,不可以串联限流电阻,串了电阻就失去保护功能了。
睁开眼睛做场梦~~~
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发表于 2025-4-12 16:18:03 | 显示全部楼层
晓*** 发表于 2025-4-11 19:26
稳压二极管直接替代TVS即可,不可以串联限流电阻,串了电阻就失去保护功能了。 ...

感谢 那就是按照这个图弄就行了呗?


截图202504121617365613.jpg
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发表于 2025-4-12 16:19:21 | 显示全部楼层
Debu*** 发表于 2025-4-11 06:52
TVS是防静电的,5V的TVS要7V左右才会开始导通
防止G极过压,稳压管更合适
可以直接使用这里面最后一张图:

感谢 按照这个图??


截图202504121618466327.jpg

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可以,适用于9~36V  详情 回复 发表于 2025-4-12 16:23
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发表于 2025-4-12 16:23:09 | 显示全部楼层
wosh*** 发表于 2025-4-12 16:19
感谢 按照这个图??

可以,适用于9~36V
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发表于 2025-4-12 22:04:30 | 显示全部楼层
R5和R6真没必要用50欧的,既然不用频率驱动了,用1K到5K都可以,不然电源电压超过稳压二极管钳位电压时,稳压二极管发热会很严重,甚至烧坏。
睁开眼睛做场梦~~~
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