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楼主: vb2002

(已解决)刚解决一个问题,又来新的问题.关于电容充电时间

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发表于 2024-11-15 00:40:47 来自手机 | 显示全部楼层
晓飛飛 发表于 2024-11-14 23:23
你这图,路子太野,之前不接4.7K直接给IO并大电容的做法很容易烧单片机,就算串了电阻也不能用。参考一下 ...

懂了,要预防电流倒灌烧坏单片机,,
必须要二极管了,
还有一个别人的图,明天我找找,用电阻加 104电容的
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发表于 2024-11-15 00:41:35 来自手机 | 显示全部楼层
晓飛飛 发表于 2024-11-14 23:23
你这图,路子太野,之前不接4.7K直接给IO并大电容的做法很容易烧单片机,就算串了电阻也不能用。参考一下 ...

用推挽应该不会倒灌吧

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推挽是不会的,因为单片机自己就是灌的那一方。 单片机上电的时候是高阻状态,也不会有很大影响。 不过你的电容要改的小一点,1uf就够了。 电阻要更大一点,这样才不容易损坏单片机,同时判断时间也会更长  详情 回复 发表于 2024-11-15 00:49
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发表于 2024-11-15 00:49:41 | 显示全部楼层
vb2*** 发表于 2024-11-15 00:41
用推挽应该不会倒灌吧

推挽是不会的,因为单片机自己就是灌的那一方。
单片机上电的时候是高阻状态,也不会有很大影响。
不过你的电容要改的小一点,1uf就够了。
电阻要更大一点,这样才不容易损坏单片机,同时判断时间也会更长
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发表于 2024-11-15 00:51:37 来自手机 | 显示全部楼层
王昱顺 发表于 2024-11-15 00:49
推挽是不会的,因为单片机自己就是灌的那一方。
单片机上电的时候是高阻状态,也不会有很大影响。
不过你 ...

那我电阻应该接电容靠io那端,然后直接连地是吗?

点评

明天给你图吧,现在躺床上了。 电阻要靠地那一端,用来隔离推挽io和地之间,防止成为直通  详情 回复 发表于 2024-11-15 00:57
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发表于 2024-11-15 00:53:04 来自手机 | 显示全部楼层
王昱顺 发表于 2024-11-15 00:49
推挽是不会的,因为单片机自己就是灌的那一方。
单片机上电的时候是高阻状态,也不会有很大影响。
不过你 ...

您给我个图呗,我明天就飞线试试
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发表于 2024-11-15 00:57:35 | 显示全部楼层
vb2*** 发表于 2024-11-15 00:51
那我电阻应该接电容靠io那端,然后直接连地是吗?

明天给你图吧,现在躺床上了。
电阻要靠地那一端,用来隔离推挽io和地之间,防止成为直通
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发表于 2024-11-15 00:58:05 | 显示全部楼层
vb2*** 发表于 2024-11-15 00:38
应该是这样对吗?,,我刚搞错了

这个就是对的
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发表于 2024-11-15 00:58:26 来自手机 | 显示全部楼层
王昱顺 发表于 2024-11-15 00:57
明天给你图吧,现在躺床上了。
电阻要靠地那一端,用来隔离推挽io和地之间,防止成为直通 ...

好的,明天我@您
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发表于 2024-11-15 11:39:26 | 显示全部楼层
本帖最后由 vb2002 于 2024-11-15 11:42 编辑


已经把泄放电阻加到680K 了.
P32引脚的判定还是快.  按照欧姆定律,这个RC电路,放完22uf的电,应该要75秒

但是实际.几十毫秒就要判定高低电平了.
截图202411151138153137.jpg



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同时,能否给出更完整的电路图?只给出一部分我没办法做出更进一步的判断。 目前我的理解是:你的单片机在切换挡位的时候供电会被切断?然后下一次上电的时候判断电容是否有点来区分第一次上电/短暂的切换挡位  详情 回复 发表于 2024-11-15 11:48
可以尝试用示波器测量P32对地电压变化曲线,看看断电后的电压是如何变化的。 你这个电阻值按道理很长时间都不会有掉电问题的。 测量完ADC后有切换成推挽模式进行充电吗?  详情 回复 发表于 2024-11-15 11:45
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发表于 2024-11-15 11:45:27 | 显示全部楼层
vb2*** 发表于 2024-11-15 11:39
已经把泄放电阻加到680K 了.
P32引脚的判定还是快.  按照欧姆定律,这个RC电路,放完22uf的电,应该要75秒
...

可以尝试用示波器测量P32对地电压变化曲线,看看断电后的电压是如何变化的。
你这个电阻值按道理很长时间都不会有掉电问题的。
测量完ADC后有切换成推挽模式进行充电吗?
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