AI8H1K08驱动H桥BLDC程序自举电容如何充电

倪***

AI8H1K08驱动H桥BLDC程序自举电容如何充电 附件：STC8H1K08_PIN20_N001_0531豆.rar

在H桥驱动BLDC中，目标是A相上桥和B相下桥绘BLDC供电，程序P1.2(PWM2P)端口输出PWM波正常，但经过半桥芯片后上桥MOS管栅极没有波形，万用表测压为12V, 上桥MOS没事打开。是否上桥没有给自举电容充电不能打开MOS管。程序如何给自举电容充电。
附件：STC8H1K08用H桥驱动BLDC原理图.pdf

国芯人***

在H桥驱动BLDC供电时，自举电容的充电通常通过以下步骤完成：

1. 确保自举电容在上桥前与MOS管栅极正确连接：在上桥前，将自举电容与MOS管栅极连接起来，形成一个通路。此时，MOS因过压而损坏，自举电容会通过R12与MOS管栅极形成通路，提供电流进行充电。

2. 检查R12的连接是否正确：R12是自举电容与MOS管栅极之间的电阻，确保其连接正确，避免因连接错误导致自举电容无法充电。

3. 检查电路中的其他连接是否正确：确保R12与MOS管栅极在上桥前正确连接，避免因连接错误导致MOS因过压而损坏。

4. 检查MOS管的维护：确保MOS管处于正常工作状态，没有因过压而损坏，避免在自举电容充电前MOS因过压损坏。

5. 在上桥前检查自举电容的状态：确保自举电容处于断电状态，避免因短路或其他原因导致自举电容无法充电。

6. 在上桥前检查电源线和地线：确保电源线和地线正常工作，避免因地线短路导致电路损坏。

7. 在自举电容充电前检查电路的稳定性：确保电路在自举电容充电前处于稳定状态，避免因电路不稳定导致充电失败。

如果上述步骤无法解决问题，建议：
检查电路中是否存在其他可能导致MOS损坏的元件。
确保R12的阻值适中，避免因电阻过低导致MOS损坏。
检查MOS管的驱动电路，确保MOS在上桥前处于正常工作状态。
联系技术支持或Diode Rectifier Expert，以确认电路的正确性并提供进一步的帮助。

通过以上步骤，可以确保在H桥驱动BLDC供电时，自举电容能够正常充电，保证电路的稳定性和可靠性。

[本文内容由国芯人工智能辅助生成，仅供参考]

Debu***

红框内的是有自举的，不知道你又画了4个MOS是想干什么，而且这是直流有刷电机不是BLDC

梁***

你的电路有自举啊：

网***

在合适的时机让桥臂下管短时间开通就能对自举电容充电
注意马达启动时或者转速很低时候,桥臂长时间不换相容易导致自举电容电压跌落,引发欠压保护
对长时间补换相情况,软件上要专门做超时检测处理,

倪***

我的问题是：硬件是正确的，程序上如何实现给自举电容充电。我想用一个PWM周期的90%用于脉宽调制，一个PWM周期的10%用于自举电容充电，我的主频24 MHz，ARR为2400，2400的10 ％为240。PWM周期的前2400 －240 = 2160用于P W M脉宽调制，后240个用于自举充电。这个思路如何去写程序

倪***

我是上格用PWM波，下桥用高低电平控制。单片机端口输出的PWM波正常，给过半桥芯片U3115后没有波形了，我想是不自举电容没有充电不能打开上桥MOS管，

倪***

我的芯片如下 ：

倪***

半桥芯片U3115D资料如下：

梁***

倪*** 发表于 2025-6-6 16:29
我的问题是：硬件是正确的，程序上如何实现给自举电容充电。我想用一个PWM周期的90%用于脉宽调制，一个PWM ...

看你的描述，你可能还不明白什么是PWM，也不明白驱动IC的自举。
比如PWM的占空比为90%，则必然有10%是低单平，将这个PWM送给驱动IC，自举是IC自身的功能。
首先，你要学会用PWM控制电机转速，先一个方向调速，按下图连接，上臂接PWM，下臂接地。调整PWM占空比，即可调速。


去下面的帖子下载我的例程包，解压缩后，直接下载“01A-PWMA-4对互补PWM输出P1口”或“02A-PWMB-4个单端PWM输出”里面的“pwm.hex”程序，然后选择一个PWM接到上面的PWM端，即可控制电机转动，之后，你尝试修改占空比，电机就会改变转速。


STC8H系列-高级PWM范例程序下载，2024/1/3 更新
https://www.stcaimcu.com/thread-1779-1-1.html
(出处: 国芯技术交流网站)