用3。3v供电，检测到掉电开启省电模式然后2秒唤醒

vb2***

用3。3v供电，检测到掉电开启省电模式然后2秒唤醒
检测低于2。7v开启掉电模式，电流1ua
唤醒后写eeprom，需要多大的电容哦？
2秒后唤醒还够时间写eeprom吗？

国芯人***

根据您的描述，系统采用3.3V供电，在检测到掉电（低于2.7V）时进入省电模式，并在2秒后唤醒。在此过程中，需确保系统能够稳定运行并完成EEPROM写入操作。以下是针对您提出问题的专业分析与建议：

一、电源管理机制说明

系统在正常工作状态下由3.3V供电。当电压降至2.7V以下时，触发掉电模式，此时系统进入低功耗状态以延长电池寿命。在此状态下，系统功耗应控制在1μA以下，以确保在掉电期间尽可能减少能量消耗。

二、电容选型建议

为保证系统在掉电过程中能够维持足够的时间完成EEPROM写入操作，需选择合适的储能电容。通常情况下，电容容量的选择取决于以下几个因素：
系统掉电后的持续时间：即从电压降至2.7V至系统唤醒之间的间隔（2秒）；
系统在掉电模式下的平均电流：假设为1μA；
允许的电压下降范围：一般要求在掉电期间电压不能过低，以确保系统能够正常唤醒和执行操作。

计算公式如下：

$$
C = \frac{I \times t}{\Delta V}
$$

其中：
$ C $：所需电容值（F）
$ I $：系统掉电模式下的平均电流（A），取1μA = $ 1 \times 10^{-6} $ A
$ t $：掉电持续时间（s），取2s
$ \Delta V $：允许的电压下降范围，建议为0.5V（从2.7V降至2.2V）

代入计算：

$$
C = \frac{1 \times 10^{-6} \times 2}{0.5} = 4 \times 10^{-6} F = 4 \mu F
$$

因此，推荐选用至少4μF的电容，建议选择陶瓷电容（如X5R或X7R材质），以确保良好的高频响应和稳定性。若对系统可靠性要求更高，可考虑选用10μF以上的电容，以提供更充足的缓冲能力。

三、2秒唤醒是否足以完成EEPROM写入

EEPROM写入时间通常在几毫秒到几十毫秒之间，具体取决于所使用的EEPROM型号及接口协议。例如：
常见的I²C EEPROM（如AT24C系列）写入时间为1ms~5ms；
SPI EEPROM（如W25Q系列）写入时间约为1ms~10ms。

因此，在2秒的唤醒时间内，系统完全具备足够的时序完成一次EEPROM写入操作。

但需注意以下几点：

1. 唤醒延迟：系统从掉电模式唤醒至恢复正常工作状态可能需要一定时间（如10ms~100ms），需在设计中预留这部分时间；
2. 电源恢复稳定性：在电压回升至3.3V之前，系统可能无法稳定运行，需确保电源恢复后系统能正确识别并执行写入操作；
3. EEPROM写入时序：需严格按照数据手册中的时序要求进行操作，避免因时序错误导致写入失败。

四、总结
推荐使用4μF及以上的陶瓷电容，以确保在掉电期间系统有足够的能量完成EEPROM写入；
系统在2秒内唤醒并完成EEPROM写入是可行的，但需注意唤醒延迟和电源恢复稳定性；
建议结合实际系统功耗和EEPROM型号进行详细时序验证，以确保可靠运行。

如需进一步优化电源管理方案或选择特定型号的EEPROM，请提供更多系统参数，以便提供更精准的建议。

[本文内容由国芯人工智能辅助生成，仅供参考]

erci***

大概这么大~



哈哈，提供个笨办法：先并联它十几二十个电容，再二分法往下减，直到不能正常写完。

vb2***

erci*** 发表于 2025-8-4 21:44
大概这么大~

这个图把我逗笑了
刚试了,220uf可以,, 100uf好像不行了,但又好像行

C_w***

erci*** 发表于 2025-8-4 21:44
大概这么大~

Debu***

时间可能不够，建议使用比较器提前判断电源状态，比如检测前级12V或220V