硬件 USB型MCU, P3.2上电会触发100mS的高电平 | ISP打开了P3.2的内部上拉电阻

fido***

乘风*** 发表于 2025-6-10 08:59

感谢大佬指点，问题解决！

fido***

晓*** 发表于 2025-6-9 22:20
建议减小下拉电阻阻值，或者在MOS的Gate极对地并电容，

感谢大佬指点，问题解决！

fido***

神*** 发表于 2025-6-10 08:13
将 R16 从 10K 改成 300欧 测试下，后续用强推挽拉高

这样虽然系统区打开了 4K 上拉电阻，

感谢大佬指点，问题解决！

梁***

R15=100~300欧姆。
30N06的栅极电压阈值最小为1.0V（条件：VDS=VGS,ID=250uA），
P3.2内部上拉电阻按4K计算，电源为5V，则R16不能超过1K。基于IO驱动力、电流消耗考虑，其值范围510~1000欧姆为好。
程序中，main函数一开始，先执行P32 = 0，再将P3.2设设置为推挽输出。

30N06应用提醒：
30N06主要参数：
N沟道，VDSmax=60V、IDmax=30A，
RDS(ON)=23mR、Qg=25nC（VDS=30V，VGS=10V），
RDS(ON)=29mR、Qg=15nC（VDS=30V，VGS=4.5V)。
如果是做慢速开关（小于1000Hz），则IO直接驱动没问题。
如果是1KHz以上PWM驱动，则需要启动电路。

神***

梁*** 发表于 2025-6-11 10:14
R15=100~300欧姆。

因为后续要强推挽拉高，所以建议，
R16大些 R16 < 800欧，这样减少点电流消耗

fido***

神*** 发表于 2025-6-11 10:21
因为后续要强推挽拉高，所以建议，
R16大些 R16 < 800欧，这样减少点电流消耗
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谢谢指导！！！