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新手上路
乘风*** 发表于 2025-6-10 08:59
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晓*** 发表于 2025-6-9 22:20 建议减小下拉电阻阻值,或者在MOS的Gate极对地并电容,
神*** 发表于 2025-6-10 08:13 将 R16 从 10K 改成 300欧 测试下,后续用强推挽拉高 这样虽然系统区打开了 4K 上拉电阻,
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梁*** 发表于 2025-6-11 10:14 R15=100~300欧姆。
神*** 发表于 2025-6-11 10:21 因为后续要强推挽拉高,所以建议, R16大些 R16 < 800欧,这样减少点电流消耗 ...
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