32G系列的DataFlash/EEPROM连续写入900W次了怎么还没挂,太辛苦了
数据一直+1，一直写入，再读取判断，到现在900W次了都没挂，介绍不是说10W次吗，感觉这超的有点多了，还是说我的测试方式不对？后续测试结果（样本目前就测了几次，仅供参考，测试代码在下面）：
一个扇区擦除，单个数据（储存写入次数，4字节）写入上千万次没出问题。后续单字节写0x00有出现240w次就出错的情况。
一个扇区擦除，然后512字节都写入0x00，60w-120w之间就报错了（应该跟硬件体质有很大关系），出现偶尔出错的情况。
正规程序还是建议按官方说的10w次来规划吧，每个片区是独立的，不影响其他片区寿命。
可以做一下次数记录和出错标志，进行片区切换，可以做掉电保存，尽量避免程序运行中一直写。
EEPROM底层是官方案例代码：
APP_Section上电固定值赋值为2
MEM_SUM_VAL直接define定义的0
改了个整个片区512字节写数据测试。
STC8H/STC32G的 DataFlash/EEPROM 是 10万次以上/25年@125度
对外只会宣称 DataFlash/EEPROM：10万次以上/20年@125度
===这些都是晶圆级在炼丹炉中真金不怕火炼
72小时@250度高温烘烤，不丢失数据才放到人间来溜达的
仰天大笑出门去，我辈岂是蓬蒿人
如果是 25度，那就100年以上了
最后封装级 8小时@175度高温烘烤，都是成本 ！！！
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车规 AEC-Q100 Grade1 认证 ！STC32G12K128 已通过，-40度 ~ +125度 - CAN/Lin/CANOpen/已通过车规 AEC-Q100 Grade1(-40 ~ +125度) - 国芯论坛-STC全球32位8051爱好者互助交流社区 - STC全球32位8051爱好者互助交流社区 (stcaimcu.com)
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10w是保证不会坏，又不是过了10w就一定会挂掉。
stc可靠性还是挺高的 王昱顺 发表于 2024-3-5 19:00
10w是保证不会坏，又不是过了10w就一定会挂掉。
stc可靠性还是挺高的
我也知道是这个道理，就是感觉超太多了，现在我想让他坏，测试程序功能，他现在还没坏我很难搞{:cry:} feiyu 发表于 2024-3-5 19:06
我也知道是这个道理，就是感觉超太多了，现在我想让他坏，测试程序功能，他现在还没坏我很难搞 ...
写入后应该擦除后再写，还要保证写的地方是同一个地址。
如果这些都没问题，那可能就是写入次数其实特别多 是在同一个扇区写入吗？请公布一下测试方案和代码 人家都是怕坏，你是盼它坏{:4_165:} 如果这样,还真是给力.破千万可以铁电用了.{:lol:} 单纯的写没有意义，必须擦写交替循环才会磨损Flash 晓飛飛 发表于 2024-3-6 00:46
单纯的写没有意义，必须擦写交替循环才会磨损Flash
片区擦除了的，不擦除就写入的数据，再读出来对比数据也不会正确吧。
现在还挂着，已经500w次了。 感觉跟假的一样，明天起来再看看。