请教梁工，三极管驱动MOS管

zha***

学习。

单片***

wpy62*** 发表于 2024-6-26 20:33
可以带感性负载吗？会不会烧MOS管

负载就是直流电机，因为有续流二极管所以不会烧mos的

单片***

神*** 发表于 2024-6-26 21:07
https://www.stcaimcu.com/forum.p ... ptid=4830&pid=33160

您好，我这是NMOS啊，负载是直流电机

单片***

lzl1*** 发表于 2024-6-26 21:09
频率不能做高，关断时候可能会发热

您好，我现在也是担心这个问题，开启的时间还好，电流足够，关断的时候只能通过10k电阻泄放掉，这个时间应该挺慢的，比较庆幸的是开启和关断时间比较长，最短也是10多秒才会开启或关断

网***

低频NMOS低侧开关,如果是低压MOS管,开通电压Vgsth一般1-2V,可以直接用单片机IO口5V驱动就行了,
如果是高压MOS管,开通电压Vgsth一般4V左右,需要10V左右电压驱动,单片机IO口就需要增加一级电平转换电路,开关速度慢的话,简单的三极管开关就行了

神***

断地都是错误的坏习惯，断 高压-HVCC 部分

梁***

慢速（周期秒级别以上）驱动P-MOS的两个图没有问题，但要注意如果是感应负载要反向并联二极管抑制反电动势。
驱动N-MOS的电路，前面的三极管不分可不用，IO直接接R67左边即可，R67我用300~1K，R68接到IO（即与R67左边一起接IO），减小分压。APG40N10D在VGS=4.5V、ID=7A时还能有26mR的导通电阻，对于100V的N-MOS是非常好的。

lijun***

最标准的是用两个三极管一个二极管，有拉有灌

haiya***

网*** 发表于 2024-6-27 11:04
低频NMOS低侧开关,如果是低压MOS管,开通电压Vgsth一般1-2V,可以直接用单片机IO口5V驱动就行了,
如果是高压M ...

IO口 用什么模式呢  我用推挽模式关不掉

网***

haiya*** 发表于 2024-7-27 11:35
IO口 用什么模式呢  我用推挽模式关不掉

一般高速开关要用推挽模式,低速开关准双向,不会关不断,你把原理图发过来分析,