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用IO 控制MOS管驱动负载,可以调节MOS的输出功率吗?

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发表于 2023-11-27 18:11:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
我们遇到一个问题, 要用GPIO 控制P-MOS gate, drain 端驱动一个发热丝。

我们希望P-MOS 可以工作在两种功率的模式下, 起到不同的加热效果。
这个可以实现吗?
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发表于 2023-11-28 10:32:34 | 显示全部楼层
调节MOS栅极电压,可以调节MOS的导通深度。注意MOS的pd功耗;另外负载是否允许Pwm方式供电没如果允许,PWM更方便
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发表于 2023-11-28 11:11:54 | 显示全部楼层
可以使用PWM调节MOS的输出功率。
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发表于 2023-11-28 15:35:21 | 显示全部楼层
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发表于 2023-11-29 10:39:02 | 显示全部楼层
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发表于 2023-12-5 15:45:05 | 显示全部楼层
PWM 控制栅极电压, 那么栅极是否要并联一个电容呢? 以便把PWM 转换为不同的电压?
还是让PWM 直接连接到栅极?
这个结果还没有经过测试, 这里先问一下, 理论上该怎么做?

点评

使用PWM驱动,栅极电容本身就会拖慢速度,更不要加电容了,如果是大功率的MOSFET,则由于输入电容大,所以要注意驱动电流,要么使用驱动电路加大驱动电流,要么减小PWM频率,避免MOSFET在放大区的时间占比明显而导致  详情 回复 发表于 2024-5-6 14:00
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发表于 2024-5-6 14:00:19 | 显示全部楼层
zhuqi*** 发表于 2023-12-5 15:45
PWM 控制栅极电压, 那么栅极是否要并联一个电容呢? 以便把PWM 转换为不同的电压?
还是让PWM 直接连接到 ...

使用PWM驱动,栅极电容本身就会拖慢速度,更不要加电容了,如果是大功率的MOSFET,则由于输入电容大,所以要注意驱动电流,要么使用驱动电路加大驱动电流,要么减小PWM频率,避免MOSFET在放大区的时间占比明显而导致发热严重甚至烧坏。
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