新手，按键检测

ufts*** · 发表于 2025-10-10 22:30:39

我在网上看的，按键电路这样设计可不可以，key2是p3.2 ，key3是p3.3，都是高阻设置，没开上拉

ufts*** · 发表于 2025-10-11 10:37:34

按键检测电路是否可以这样设计，谢谢大家了，key2是p3.2 ，key3是p3.3，都是高阻输入，没开上拉，单片机和按键用的同一个电源

Debu*** · 发表于 2025-10-11 12:59:39

可以，外部电阻上拉，RC消抖

神*** · 发表于 2025-10-11 13:17:35

vb2*** · 发表于 2025-10-12 15:24:13

可以哈, 有消抖,有上拉.
不过我还是喜欢高阻加上拉,自己状态机消抖, 可以省掉几个元器件

ZRF19*** · 发表于 2026-1-30 15:59:43

i/o口上串联的300欧电阻可以不用吗

Ayb_*** · 发表于 2026-1-30 17:26:55

完全可以

jkwn*** · 发表于 2026-4-30 13:59:28

Debu*** 发表于 2025-10-11 12:59
可以，外部电阻上拉，RC消抖

我也想请教一下，这种按键和电位器电路的100nf电容并联在IO口和gnd,会不会造成闩锁效应呢，不太懂闩锁效应请教一下

wul*** · 发表于 2026-4-30 14:08:57

jkwn*** 发表于 2026-4-30 13:59
我也想请教一下，这种按键和电位器电路的100nf电容并联在IO口和gnd,会不会造成闩锁效应呢，不太懂闩锁效应 ...

不要看书看傻了，闩锁效应是芯片设计人员考虑的事，应用电路设计就别杞人忧天了。

jkwn*** · 发表于 2026-4-30 14:35:07

wul*** 发表于 2026-4-30 14:08
不要看书看傻了，闩锁效应是芯片设计人员考虑的事，应用电路设计就别杞人忧天了。 ...

太感谢了，IO口并联电容是很常规的操作吗？100nf没问题？我记得好像是输入模式电容不能到uf级别

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按键检测，昨天发了一个没人回复