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楼主: microyea

I/O设置高阻输入后,进入掉电模式会产生漏电

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
zhang*** 发表于 2025-7-31 19:39
外围电路是什么样子 有没有可能是外围电路问题?

没有外围电路了,已经拆成最小系统了
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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
P1 口逐一排查(3.3VCC, P1全部高阻并关闭数字输入,1.2v逐个接入P1八个IO):  P10,P11 不漏电      P12,P13 漏电100uA        P14,P15,P16,P17 漏电54uA

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一会测一下这个状态的电流  详情 回复 发表于 4 天前
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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
换成 STC8H1K08 TSSOP20 有希望解决吗?
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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
管脚浮空加高阻,极易受外部干扰影响,管脚电压随机变化状态不确定,耗电都大.
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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
micr*** 发表于 2025-7-31 18:31
电压正常,  这个板子上的P3.5没有使用,用P3.5做了下实验,关闭数字输入能起作用。 有什么办法能验证P1IE ...

8G系列有P1IE
截图202508012042242945.jpg

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
micr*** 发表于 2025-8-1 14:20
P1 口逐一排查(3.3VCC, P1全部高阻并关闭数字输入,1.2v逐个接入P1八个IO):  P10,P11 不漏电      P12,P ...

可以复现该问题,所有IO都是一样的
芯片出厂序列号:F754C4650B7CCE
单片机型号:STC8G1K08-20/16PIN
软件协议:V1.0:7.3.11U
截图202508020108379787.jpg
设置PxIE只起到一半作用,感觉内部有两个相同的电路在翻转
PxIE只能控制其中一个,因为电流近似为2倍关系
全部高阻,不关闭数字输入,280μA附近波动
全部高阻,关闭数字输入,140μA附近波动
以上会受附近电磁环境影响,触摸IO口,电流会大范围变化
视频中USB Type-A插座和电路无连接,只是连接了附近大面积铺铜
触摸USB Type-A插座,电流也会大范围变化
全部双向写1,不关闭数字输入,1.08μA
全部双向写1关闭数字输入,0.56μA
全部双向写0,不关闭数字输入,0.50μA
全部双向写0关闭数字输入,0.50μA
设置IAP_TPS、加nop等都试过了,未能解决
全部高阻,不关闭数字输入,280μA附近波动:
截图202508020042469055.jpg
IMG_20250802_000719.jpg

全部高阻,关闭数字输入,140μA附近波动:
截图202508020032351812.jpg
IMG_20250802_002059.jpg

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发表于 4 天前 | 显示全部楼层
确定就是最小系统吗?
两个电容
刚刚我有个也是掉电模式有15ua.. 换了个机械开关的只有0.4ua了
确定是开关电路那里有问题.
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发表于 3 天前 | 显示全部楼层
Debu*** 发表于 2025-8-1 20:47
可以复现该问题,所有IO都是一样的
芯片出厂序列号:F754C4650B7CCE
单片机型号:STC8G1K08-20/16PIN


反应迅速,数据详尽。 补充一下我的理解, 所有IO设置高阻后,IO上感应电压很容易相互耦合,这个测试只能说明有些IO有问题,不能说明全部都有问题。精确定位的话需要进一步测试:逐个设置高阻来排查。  
我的设计是要用到所有P1八个口并联去驱动负载,在纽扣电池供电的系统上产生短时强脉冲,间歇期间需要高阻脱离避免倒灌。 目前临时替代是只用P10 P11,除功率不够外功能功耗都正常。 燃眉之急是找一款P1正常的20PIN芯片

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昨天冤枉P3了,是手摸P3电场感应的,影响了P1,以下是挨个IO测试的结果: [attachimg]110661[/attachimg]  详情 回复 发表于 3 天前
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发表于 3 天前 | 显示全部楼层
micr*** 发表于 2025-8-2 11:25
反应迅速,数据详尽。 补充一下我的理解, 所有IO设置高阻后,IO上感应电压很容易相互耦合,这个测试只能 ...

昨天冤枉P3了,P3没有问题,是手摸P3电场感应影响了P1
挨个IO测试,VCC固定为3314.5mV,所有数字输入关闭
仅测试IO高阻,其他IO准双向,电位器调压接高阻的测试IO
表格白色区域为单片机VCC脚电流,单位μA
P12~P17、P54~P55异常
截图202508022120469466.jpg

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发表于 3 天前 | 显示全部楼层
匀速拧电位器发现曲线奇怪,用excel画了个曲线
S016.BMP
截图202508022322591994.jpg

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