关于32G12K128的EEPROM

Greek***

各位老师好，我看手册里写E2之前必须要擦除，然后擦除只能擦一个扇区512字节，耗时5-6ms，我每秒都需要写入几个字节的数据到E2，其余大部分数据都是要保留的，如果每秒都要增加5-6ms，延迟上面无法接受，如何做到每次只擦除指定地址和指定长度的E2字节？

erci***

只能擦除扇区吧。可以先只改内存缓冲区里数据，定时一起写入。

神***

【新提醒】EEPROM的使用 请 配合比较器做掉电检测 - EEPROM/DataFlash 国芯技术交流网站 - AI32位8051交流社区

Greek***

erci*** 发表于 2025-6-19 10:00
只能擦除扇区吧。可以先只改内存缓冲区里数据，定时一起写入。

好吧，只能擦一整片扇区的话我得加外部e2了

erci***

Greek*** 发表于 2025-6-19 10:51
好吧，只能擦一整片扇区的话我得加外部e2了

你应该把完整需求发下看有没有人做过。
比如写入频率是秒级，为什么ms级擦除会受延迟影响。

Debu***

每秒擦除一次可能只有几天的寿命，十万次（全温度范围十万次，据说实际测试在室温下超过20万次寿命）很快就会用光
建议实时修改的数据保存在RAM里，掉电时再写入到EEPROM
可以用比较器判断电源状态（在前级采样，如市电或LDO前，配合电解电容储能），高可靠应用场合可以使用法拉电容储能