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请前辈给我设计的电路把把关

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发表于 2025-4-5 01:01:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
我设计了一个电路 用一个nMOS控制一个pmos,vcc是汽车的电瓶负极,GND是电瓶负极
NET1是一个按键开关 控制汽车电瓶正极接入 控制nmos栅极,out1是pmos做上管控制负载的正极

1060cd是做续流二极管用的

p和nmos的栅极vgs都是正负20的
负载是80w的 开关频率最多也就到1khz 基本也是常开和常闭的状态
第一次自己设计不知道稳妥不

我自己还搭了仿真



仿真电路

v008是控制nmos栅极的电压
v005*r3是模拟负载的功率




截图202504050048319341.jpg
截图202504050058347742.jpg
截图202504050100253523.jpg
截图202504050100412682.jpg
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发表于 2025-4-5 01:03:00 | 显示全部楼层
电路设计分析与建议

1. 电路结构概述
您设计的电路采用了一个nMOS管控制一个pMOS管,VCC连接汽车电瓶负极,GND连接电瓶负极。NET1作为按键开关,控制汽车电瓶正极接入,进而控制nMOS的栅极。OUT1通过pMOS作为上管控制负载的正极。续流二极管1060cd用于续流保护。pMOS和nMOS的栅极VGS范围为±20V,负载功率为80W,开关频率最高为1kHz,主要工作状态为常开或常闭。

2. 关键点分析
2.1 电源与地连接
VCC与GND连接:VCC连接电瓶负极,GND也连接电瓶负极,这种设计可能导致电源与地之间的电位差为零,无法为电路提供有效的工作电压。建议将VCC连接电瓶正极,GND连接电瓶负极,以确保电路正常工作。

2.2 MOS管控制
nMOS控制pMOS:这种设计在逻辑上是可行的,但需要确保nMOS的栅极电压能够有效控制pMOS的导通与截止。由于VGS范围为±20V,需确保栅极电压在此范围内,以避免MOS管损坏。
栅极驱动:NET1作为按键开关,直接控制nMOS的栅极,需考虑按键的抖动问题,可能导致nMOS的误动作。建议在NET1与nMOS栅极之间加入去抖动电路,如RC滤波或施密特触发器。

2.3 续流二极管
1060cd续流二极管:续流二极管的选择需考虑其反向恢复时间和最大反向电压。1060cd的参数需满足负载电流和电压的要求,以确保在开关过程中有效续流,避免产生过高的反向电压损坏MOS管。

2.4 负载与开关频率
负载功率:负载功率为80W,需确保MOS管的额定电流和功率能够承受负载的最大电流和功耗。建议选择额定电流和功率大于负载需求的MOS管,并考虑散热问题。
开关频率:开关频率最高为1kHz,相对较低,但仍需考虑MOS管的开关损耗和续流二极管的恢复时间。建议选择开关速度较快的MOS管和续流二极管,以降低开关损耗。

3. 仿真与验证
您提到已经进行了仿真,这是非常必要的步骤。建议在仿真中重点关注以下几点:
电源与地连接:确保电源与地之间的电位差正确,电路能够正常工作。
MOS管控制:验证nMOS栅极电压是否能够有效控制pMOS的导通与截止,确保开关动作准确无误。
续流二极管:观察续流二极管在开关过程中的表现,确保其能够有效续流,避免产生过高的反向电压。
负载与开关频率:测量负载电流和电压,验证MOS管和续流二极管的参数是否满足负载需求,观察开关损耗是否在可接受范围内。

4. 改进建议
电源与地连接:将VCC连接电瓶正极,GND连接电瓶负极,确保电路正常工作。
栅极驱动:在NET1与nMOS栅极之间加入去抖动电路,避免按键抖动导致nMOS误动作。
MOS管选择:选择额定电流和功率大于负载需求的MOS管,并考虑散热问题。
续流二极管:选择反向恢复时间短、最大反向电压满足要求的续流二极管,确保在开关过程中有效续流。
仿真验证:在仿真中重点关注电源与地连接、MOS管控制、续流二极管表现、负载与开关频率等方面,确保电路设计合理。

5. 总结
您的电路设计在逻辑上是可行的,但在电源与地连接、栅极驱动、MOS管选择、续流二极管等方面存在改进空间。通过合理的改进和仿真验证,可以确保电路在实际应用中稳定可靠。希望以上分析与建议对您有所帮助,祝您的电路设计顺利成功。

[本文内容由国芯人工智能辅助生成,仅供参考]
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发表于 2025-4-5 10:56:24 | 显示全部楼层
ai回想回答的差不多哦.
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发表于 2025-4-5 12:25:28 | 显示全部楼层
F1去掉,F1断开可能导致OUT1意外输出
VCC和NET1不要大于16V
DebugLab
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发表于 2025-4-5 14:07:11 | 显示全部楼层
C4需要去掉,否则影响MOS的开关速率增加可变电阻区的宽度,直接造成管子发热。
D4要用稳压二极管,不能使用TVS代替。
另外,R4阻值过小,电源电压到24V时对稳压管的压力较大,
R6阻值过大,上拉能力太弱,影响Q1的关断速度。
睁开眼睛做场梦~~~
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发表于 2025-4-7 05:11:54 | 显示全部楼层
Debu*** 发表于 2025-4-5 12:25
F1去掉,F1断开可能导致OUT1意外输出
VCC和NET1不要大于16V

好的 谢谢 我还是在总电源输入的地方 放一个保险丝把
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发表于 2025-4-7 05:30:18 | 显示全部楼层
晓*** 发表于 2025-4-5 14:07
C4需要去掉,否则影响MOS的开关速率增加可变电阻区的宽度,直接造成管子发热。
D4要用稳压二极管,不能使用 ...

非常感谢
因为开关的频率比较低而且 基本不太好让它工作在1khz的状态更多的是在 常开或者常闭 所以加了c4想滤波 上拉电阻选的值也比较大 想省电,p管的限流电阻比较小 想着还是让它抗干扰能力提高

tvs二极管我是怕有尖峰电压过来损害栅极
我是不是应该在tvs后面再并联一个 稳压二极管呀 这样的话如果高电压持续时间长可以更好的钳位电压

点评

D1和D4换成稳压管,不要TVS  详情 回复 发表于 2025-4-7 08:01
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发表于 2025-4-7 05:30:49 | 显示全部楼层
vb2*** 发表于 2025-4-5 10:56
ai回想回答的差不多哦.

谢谢
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发表于 2025-4-7 08:01:34 | 显示全部楼层
wosh*** 发表于 2025-4-7 05:30
非常感谢
因为开关的频率比较低而且 基本不太好让它工作在1khz的状态更多的是在 常开或者常闭 所以加了c4 ...

D1和D4换成稳压管,不要TVS
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发表于 2025-4-8 02:33:36 | 显示全部楼层
Debu*** 发表于 2025-4-7 08:01
D1和D4换成稳压管,不要TVS

谢谢指导 我不明白为什么这里要用稳压管 我放tvs是因为怕有尖峰电压 不是说稳压管反应比较慢么
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