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学习陈教授8H8K64U单片机视频课程每日打卡!

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发表于 2025-3-15 16:30:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
开始学习陈桂友教授的8H8K64U单片机课程,每天坚持打卡!
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发表于 2025-3-15 16:33:00 | 显示全部楼层
尊敬的学习者,感谢您对陈桂友教授STC8H8K64U单片机课程的关注与支持。STC8H8K64U作为一款高性能的8位单片机,广泛应用于工业控制、智能家居等领域。陈教授的课程深入浅出,能够帮助您快速掌握该单片机的核心技术与应用开发。<br><br>建议您在学习过程中,注重理论与实践相结合,通过每日打卡的方式,逐步积累编程经验与调试技巧。同时,关注课程中的关键知识点,如寄存器配置、中断处理、通信协议等,这些是掌握STC8H8K64U单片机开发的基础。<br><br>如果您在学习过程中遇到任何问题,欢迎随时在课程讨论区或相关技术社区中提问,我们将竭诚为您提供支持与帮助。祝您学习顺利,早日成为单片机开发领域的专家!<br><br>[本文内容由国芯人工智能辅助生成,仅供参考]
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发表于 2025-3-16 13:35:51 | 显示全部楼层
今天周日,在家继续学习视频课程!
I/O口的工作模式,老师讲的很细,怎么设置4种工作模式,都听懂了,但是对于“灌电流20mA、拉电流270μA”的介绍,没有直观印象,老师要是结合电路图讲解就更好了。


[color=rgb(var(--ds-rgb-label-1))]
deepseek回答:
单片机IO口的工作模式中,灌电流(Sink Current)和拉电流(Source Current)是描述电流方向的关键概念,具体含义如下:
灌电流(Sink Current)
  • 定义:当IO口输出低电平(逻辑0)时,电流从外部电路流入IO口,此时IO口作为电流的“吸收端”。
  • 电路示例:外部负载(如LED)一端接电源(VCC),另一端接IO口。当IO口输出低电平时,电流从VCC经负载流入IO口,最终流向地(GND)。
  • 特点
    • 通常灌电流能力较强,因为单片机内部的下拉晶体管(如N型MOS)导通电阻较低。
    • 数据手册中会标注最大允许灌电流(如20mA),超过可能损坏IO口。


拉电流(Source Current)
  • 定义:当IO口输出高电平(逻辑1)时,电流从IO口流出到外部电路,此时IO口作为电流的“源端”。
  • 电路示例:外部负载一端接IO口,另一端接地。当IO口输出高电平时,电流从IO口经负载流向地。
  • 特点
    • 通常拉电流能力较弱,因内部上拉晶体管(如P型MOS)导通电阻较高。
    • 需注意最大允许拉电流(如10mA),避免因过流导致电压跌落或损坏。


关键区别
特性
灌电流
拉电流

电流方向
流入IO口(IO为低电平)流出IO口(IO为高电平)
典型能力
较强(如20mA)较弱(如10mA)
常见应用
驱动LED(接VCC+IO低电平)驱动LED(接IO高电平+接地)其他注意事项
  • 推挽输出模式:支持主动拉高(拉电流)和拉低(灌电流),适用于需要强驱动能力的场景。
  • 开漏输出模式:仅支持拉低(灌电流),需外接上拉电阻实现高电平,适合总线通信(如I²C)。
  • 输入模式:IO口为高阻态,电流极小,通常通过上拉/下拉电阻读取外部信号。

总结
  • 灌电流是IO吸收外部电流的能力,用于低电平驱动负载。
  • 拉电流是IO提供电流的能力,用于高电平驱动负载。
  • 设计电路时需结合数据手册的电流限制,优先利用灌电流以发挥IO口更强的驱动能力,必要时使用外部驱动电路(如晶体管)扩展电流。


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[backcolor=rgb(var(--ds-rgb-blue-100))]开启新对话

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发表于 2025-3-17 10:39:02 | 显示全部楼层
继续学习51汇编语言。陈老师分类讲解,很清晰,不枯燥。

截图202503172208445115.jpg
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发表于 2025-3-17 22:06:59 | 显示全部楼层
7种寻址方式,有点难度!

截图202503172207491691.jpg
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发表于 2025-3-17 23:11:56 | 显示全部楼层
今天学习第八集,汇编语言指令
演示时用keil软件,十六进制数用“0x65”表示,有些不解,之前不是讲十六进制用“65H”表示吗?


查资料,知道了十六进制的表示方法,C语言和汇编语言有区别!


截图202503172311535295.jpg
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继续学习,坚持!
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出差了几天,回来继续学习打卡!
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继续学习!
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