光耦上拉电阻，R13，取值范围

yyy5***

今天测试了，准双向口模式，不焊上拉电阻开关程序也可以正常工作
测试芯片89C52RC,8H2K08U,
如下示意图R13 取值10K
以前我焊过5V系统的512欧，3.3V系统220欧，都能正常工作，可能思路不对，百度一下建意取值范围1K-10K，还有1K-100K
接近开关控制电路


~~
我现在关心的问题是，这个电阻我就不焊了，可行不，能稳定不
焊510欧和220欧的会不会可能异常





引用：
https://blog.csdn.net/qq_36737680/article/details/85923943




引用：
https://b2b.baidu.com/q/aland?q= ... 43882342433&utype=2

一、单片机上拉电阻概述

在单片机应用中，输入端通常需要连接上拉电阻，以保证输入信号的电平稳定可靠。上拉电阻的主要作用是将输入端与VCC之间形成一个电阻分压网络，当输入信号为高电平时，输入端电压为VCC，当输入信号为低电平时，输入端电压为GND。上拉电阻的取值大小不宜过大，否则会造成电路开关速度变慢，反之则会造成电路灵敏度下降。

二、单片机上拉电阻的取值范围

单片机上拉电阻的取值范围通常在1KΩ~100KΩ之间，对于不同的输入信号，取值也不同。比如，对于高频输入信号，如红外信号、脉冲信号等，为了保证电路的稳定性和抗干扰能力，应该采用较小的上拉电阻；而对于低频输入信号，如按键信号、外部传感器信号等，可以适当增大上拉电阻的取值，以减少功耗的消耗。

三、单片机上拉电阻的选择方法

在选择单片机上拉电阻时，需要考虑到以下几个因素：

1.输入信号的频率和波形：如果输入信号频率较高，应该选择较小的上拉电阻，以保证输入信号的稳定性；如果输入信号频率较低，可以适当选择较大的上拉电阻；

2.电路的总体抗干扰能力：如果电路的抗干扰能力比较差，应该适当选用小一些的上拉电阻；

3.输入电路的功耗：如果输入电路需要长时间工作，为了节约电力并延长电池寿命等，在选择上拉电阻时可以适当增大其取值；

4.其他因素：如单片机本身的输入阻抗、供电电压等也会对上拉电阻的取值产生影响，需要仔细考虑。

综合来看，单片机上拉电阻的取值大小需要结合具体的应用场景来考虑，不宜过大或过小。一般来说，根据输入信号的频率、电路的抗干扰能力等因素，选择1K~10KΩ的上拉电阻是比较合适的。

【结尾】

本文主要介绍了单片机上拉电阻的作用、取值范围和选择方法等方面的知识，希望能够对单片机电路设计有一定的帮助。在实际应用中，需要根据具体情况进行选型和调整，以确保电路的可靠性和稳定性。

晓***

光耦接收侧这个R13取值范围的问题，实践出真知，焊与不焊你都测试过了，都是能用的，现在是考虑风险的问题，
对于89C52RC,8H2K08U,不焊接上拉电阻的情况下必须将相应IO配置成准双向模式，如果配置成开漏模式则必须配置外部上拉电阻。
准双向模式的内部弱上拉阻值为100KΩ的级别，相对较弱，在通讯隔离场合来说，弱上拉会影响信号上升沿的摆率，对于高波特率通信来说会造成误码。
8H2K08U属于新型号，可以开启内部强上拉配合开漏或准双向模式得到不错的应用效果。

总而言之，上拉是必须有的，要么外接上拉电阻，要么启动IO内部上拉，
准双向模式启用的是100K级别的弱上拉，新型号8H系列可以启用内部4K强上拉，弱上拉对付高波特率通信来说会有风险。

另外，关于510Ω和220Ω的小值上拉电阻有没有风险的问题，这个得看光耦的特性和发光侧的输出电流（驱动电压和限流电阻决定），
弱的发光侧电流会导致接收侧无法可靠进入饱和导通区，造成逻辑错误，所以，小值上拉可不可以使用，还需要考虑发光侧的限流电阻是否匹配。

LAO***

简单的总结一下, 上拉是必须有的，要么外接上拉电阻，要么启动IO内部上拉(相应速度不快, 高速时不是很可靠)，
只是这个阻值, 取值越小, 相应速度(频率)越快,
一般低速光耦, 5V系统取值的4.7k-10k，3.3V系统取值的2.2k-4.7k.
一般中速光耦, 5V系统取值的1k-4.7k，3.3V系统取值的510Ω-2.2k.
一般高速光耦, 5V系统取值的510Ω-1k，3.3V系统取值的220Ω-510Ω.

LAO***

总之, 这个阻值, 和对应的速度(频率)有关,
当高速光耦 6N137 , 取值较大(比如4.7k-10k)时, 也能工作, 只是对应的工作速度(频率)就比较低. 上不去.

ang***

光耦的数据手的应该有推荐

前***

学习了