8H2K12U输出驱动不了推挽电路吗

垂柳***

8H2K12U SOP8 芯片P54引脚输出PWM信号，电路如图，测量mos管G极对地电压只有4.4伏左右。


将R3换成阻值2.2k欧，PWM处直接接12V电源，测量mos管G极电压10.8伏左右。
不甘心啊， 把STC8H2K12U芯片输出高电平直接接到面包板上单独搭建推挽电路，测量依然是4.4伏，请大咖们讲解一下，改如何改进，最好能给出电路和计算方法。谢谢

Debu***

射随器或图腾柱（推挽射随器）没有电压放大作用
要用共发射极接法
注意共发射极接法输入输出是反相的
还需要死区时间，所以要使用2个IO驱动，因为IO电压不能超过电源电压，还要再加三极管
或者用专用芯片驱动

13259***

用光耦加三极管驱动更简单

13259***

选择合适的光耦 注意工作频率即可

wangxi***

看高手解答

垂柳***

经过温习一下模电，增加一个8050三极管，问题解决了。
PWM高电平mos管G极电压1.48伏，不晓得mos管是否会发烫。低电平时mos管G极电压11.46伏应该完全打开mos管，什么办法让mos管G极再低一点呢，请大咖们赐教。谢谢
具体电路图如下：

垂柳***

计算思路：
1、单片机IO输出能力限制：STC8H2K12U SOP 8 供电5V，PWM高电平最大5V，R3 阻值680欧，5÷680 =0.00735，小于20毫安，单片机IO承受的住；

2、电阻功率限制：选用电阻均是0.25瓦。
       R3电阻功耗：5 × 5 ÷ 680 = 0.038
       R35电阻功耗：（12-0.7）×（12-0.7）÷ 1000   = 0.12769 没问题，那么R4肯定没问题
3、三极管放大电流：
       PWM低电平时，流经R35电流12÷ 1000   = 0.012
       流经R3电流5÷ 680   = 0.00735
       三极管BJT4按 β =50计算，50 × 0.00735  = 0.3675 远大于0.012，即可以截止三极管BJT1；
当PWM高电平时，BJT2导通，D1选用1N4148,怎么MOSFET1栅极电压还有1.46伏。没弄明白，请大咖们讲解一下，谢谢