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新手,按键检测

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发表于 2025-10-10 22:30:39 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式
我在网上看的,按键电路这样设计可不可以,key2是p3.2 ,key3是p3.3,都是高阻设置,没开上拉
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发表于 2025-10-11 10:37:34 | 显示全部楼层

按键检测,昨天发了一个没人回复

按键检测电路是否可以这样设计,谢谢大家了,key2是p3.2 ,key3是p3.3,都是高阻输入,没开上拉,单片机和按键用的同一个电源
IMG_1715.png
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发表于 2025-10-11 12:59:39 | 显示全部楼层
可以,外部电阻上拉,RC消抖
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发表于 2025-10-11 13:17:35 | 显示全部楼层
截图202510111316558966.jpg

截图202510111320056735.jpg


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发表于 2025-10-12 15:24:13 | 显示全部楼层
可以哈, 有消抖,有上拉.
不过我还是喜欢高阻加上拉,自己状态机消抖, 可以省掉几个元器件
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发表于 2026-1-30 15:59:43 | 显示全部楼层
i/o口上串联的300欧电阻可以不用吗
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发表于 2026-1-30 17:26:55 | 显示全部楼层
完全可以
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发表于 昨天 13:59 | 显示全部楼层
Debu*** 发表于 2025-10-11 12:59
可以,外部电阻上拉,RC消抖

我也想请教一下,这种按键和电位器电路的100nf电容并联在IO口和gnd,会不会造成闩锁效应呢,不太懂闩锁效应请教一下
截图202604301358135319.jpg
截图202604301358374727.jpg
截图202604301401296647.jpg
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发表于 昨天 14:08 | 显示全部楼层
jkwn*** 发表于 2026-4-30 13:59
我也想请教一下,这种按键和电位器电路的100nf电容并联在IO口和gnd,会不会造成闩锁效应呢,不太懂闩锁效应 ...

不要看书看傻了,闩锁效应是芯片设计人员考虑的事,应用电路设计就别杞人忧天了。
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发表于 昨天 14:35 | 显示全部楼层
wul*** 发表于 2026-4-30 14:08
不要看书看傻了,闩锁效应是芯片设计人员考虑的事,应用电路设计就别杞人忧天了。 ...

太感谢了,IO口并联电容是很常规的操作吗?100nf没问题?我记得好像是输入模式电容不能到uf级别
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