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SHT30

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发表于 2025-5-3 10:26:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
我想问一下冲哥的SHT30代码里IIC通信用到上拉电阻了吗?我看手册里有说上拉电阻,还是用准双向口启动了内置上拉电阻
SHT30温湿度传感器, 硬件I2C接口, 32G12K128 驱动教程系列
https://www.stcaimcu.com/thread-236-1-1.html
(出处: 国芯技术交流网站)


截图202505031026023379.jpg
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发表于 2025-5-3 10:28:00 | 显示全部楼层
关于SHT30传感器I²C通信中上拉电阻的应用问题,现从硬件接口特性和STC32G系列MCU设计规范角度进行技术分析如下:

一、I²C总线物理层设计要求
1. 总线负载特性
根据Philips I²C总线规范(v6.0),标准模式(100kHz)下总线电容应小于400pF,快速模式(400kHz)下应小于200pF。SHT30支持最高1MHz时钟,需特别注意信号完整性。

2. 上拉电阻计算
理想上拉电阻值应满足:
Rp(min) = (VDD - VOL(max)) / IOL
Rp(max) = tr / (0.8473 × Cb)
其中tr为上升时间,Cb为总线总电容。典型应用中,3.3V系统建议使用4.7kΩ,5V系统使用2.2kΩ。

二、STC32G12K128 GPIO模式分析
1. 准双向口特性
STC32G的准双向模式内置约50kΩ弱上拉电阻,其等效电路包含:
PMOS上拉管(约250μA驱动能力)
NMOS下拉管(约8mA灌电流能力)
施密特触发输入缓冲器

2. I²C外设硬件特性
STC32G12K128的硬件I²C模块支持:
多主机通信协议
7/10位地址模式
时钟拉伸功能
内置时序发生器(无需软件延时)

三、实际工程实现考量
1. 代码层面验证
在冲哥示例代码中,关键配置点包括:
```c
// GPIO初始化代码片段
P3M1 &= ~(1

[本文内容由国芯人工智能辅助生成,仅供参考]
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发表于 2025-5-3 10:32:04 | 显示全部楼层
建议外部加上拉电阻,如外部没加上拉电阻,就打开内部上拉电阻
截图202505031032014346.jpg
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发表于 2025-5-3 11:52:20 | 显示全部楼层
"建议外部加上拉电阻......"  如果PCB面积有限 布局排线困难,  使用内部上拉电阻, 对电气性能和程序逻辑有不利影响吗?

点评

上电瞬间到用户程序初始化阶段是高阻状态,对于上电瞬间状态有要求的就要接上拉或下拉电阻  详情 回复 发表于 2025-5-3 15:25
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发表于 2025-5-3 15:25:49 | 显示全部楼层
wjhh*** 发表于 2025-5-3 11:52
"建议外部加上拉电阻......"  如果PCB面积有限 布局排线困难,  使用内部上拉电阻, 对电气性能和程序逻辑有 ...

上电瞬间到用户程序初始化阶段是高阻状态,对于上电瞬间状态有要求的就要接上拉或下拉电阻
DebugLab
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发表于 2025-5-4 19:27:53 | 显示全部楼层
由于STC32G12K128系列在3.3V供电时内部上拉电阻接近6.3K左右,和SHT30推荐的4.7K略有出入,因此不是最佳上拉阻值,绝大多数情况下不影响使用,但在极限条件下可能会有问题,一般来说使用外部上拉更为稳妥,使用内部上拉的话,可以通过适当降低I2C总线时钟来满足通信可靠性要求,因此两种方式均可,根据实际情况来选择。
截图202505041922455277.jpg
睁开眼睛做场梦~~~
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