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EEPROM的使用 请 配合比较器做掉电检测
EEPROM中的本次上电后可能要改的数据,上电后读到 SRAM中,
电源正常时操作SRAM, 掉电时及时写回 EEPROM
要保证时间足够,就是调整外部电压偏低检测中断的提前量,如
1, 交流220V, 7805稳压电路前端输入是 11V;
2, 交流210V, 7805稳压电路前端输入是 10.5V;
3, 交流200V, 7805稳压电路前端输入是 10V;
4, 交流190V, 7805稳压电路前端输入是 9.5V;
5, 交流180V, 7805稳压电路前端输入是 9V;
6, 交流170V, 7805稳压电路前端输入是 8.5V;
7, 交流160V, 7805稳压电路前端输入是 8V;
===你这个要提前的量放在
11V/10.5V/10V/9.5V/9V/8.5V ?
===哪个电压点产生外部电压偏低检测中断,
确保时间充分要通过实践测试来选择
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否则就要,一份数据写到 3个不同的 扇区,
3个都相同,正常,
2个相同,1个不同,改写时,掉电了,
用相同的2个相同的来恢复没改写完成的/前提应用场景要能接收
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