jkwnejot 发表于 2026-1-22 18:19
谢谢梁工，这种上电时的电流2A，因为时间短，虽然大于电感的饱和电流，我觉得应该没关系，只要保证工作中 ...
上电冲击不要紧，一般电源IC会有限流功能的。
梁工 发表于 2026-1-22 18:31
上电冲击不要紧，一般电源IC会有限流功能的。
谢谢梁工{:4_197:}
梁工 发表于 2025-12-29 11:08
1、78M05输出不需要钽电容，普通低ESR的电解电容就可以了，或者并联一个10uF的陶瓷贴片电容。
2、78M05就近 ...
梁工，今天想了一个问题，请教您，之前和您请教78m05输出已经有100uf电容，mcu处是不是可以省掉22uf电容，您的讲解是都有用处，退耦电容各司其职
如果我现在有5个用电芯片呢？请您看图，这种情况是不是也应该都加上22uf，只要总容量在电源芯片输出电容量范围内？比如允许输出电容在300uf，不管我加几个电容，只要总容量小于300uf就可以
jkwnejot 发表于 2026-2-4 17:23
梁工，今天想了一个问题，请教您，之前和您请教78m05输出已经有100uf电容，mcu处是不是可以省掉22uf电容 ...
CS1237、AT24C16没有大电流波动，只需要0.1uF即可。
但CS1237是24位ADC，还有跟其相关的模拟电路，可能需要RC滤波。
一些驱动LED的芯片，电流波动大，需要大的电容就近退耦。
还是那个原则：电源芯片输出电容不要超过其最大允许值（如果有限制的话），电流波动大的IC，要用较大的电容就近退耦。
梁工 发表于 2026-2-4 20:02
CS1237、AT24C16没有大电流波动，只需要0.1uF即可。
但CS1237是24位ADC，还有跟其相关的模拟电路，可能需 ...
梁工您看我理解的对不对哈
1.LDO或者dcdc的输出电容（比如100uf+100nf）和用电芯片（比如mcu，数码管驱动芯片，半桥驱动芯片）的输入电容（22uf+100nf）是互不影响的，都是退耦电容都需要加上（根据电流大小），不能因为LDO或者dcdc的输出加了大电容省掉用电芯片输入的电容，可以根据电流大小，小电流2.2uf+100nf，大电流22uf+100nf
2.最近在看其他人的设计时发现了这个现象，好多设计都是在LDO和dcdc输出有大电容的情况下，省掉了mcu的22uf，只加了100nf，请您看图，75L05输出电容（220uf+10uf）mcu的输入vcc只加了100nf，不知道这样做可不可以？
jkwnejot 发表于 2026-2-5 10:25
梁工您看我理解的对不对哈
1.LDO或者dcdc的输出电容（比如100uf+100nf）和用电芯片（比如mcu，数码管驱动 ...
还是那个原则：电流波动大的IC，要用较大的电容就近退耦。
梁工 发表于 2026-2-6 11:55
还是那个原则：电流波动大的IC，要用较大的电容就近退耦。
梁工，您看一下是这个手册
jkwnejot 发表于 2026-2-26 14:57
梁工，您看一下是这个手册
这是需要指定绝对地址时的操作，但是实际程序中，需要指定绝对地址的场合是很少的。
梁工 发表于 2026-2-26 16:20
这是需要指定绝对地址时的操作，但是实际程序中，需要指定绝对地址的场合是很少的。 ...
梁工，我想麻烦您看一下这个帖子，等了一天没有找到好方法关于pcb 螺丝孔设计请教
https://www.stcaimcu.com/thread-22847-1-1.html
(出处: 国芯人工智能技术交流网站)
梁工 发表于 2026-2-26 16:20
这是需要指定绝对地址时的操作，但是实际程序中，需要指定绝对地址的场合是很少的。 ...
请教梁工我现在使用的是POMS加NMOS驱动直流电机，电机正反转都是下管nmos常开上管pmos用pwm控制频率20K这样是否可以呢？这种驱动方式是不是不用像半桥驱动一样在栅极驱动电阻上反向并联二极管？我的理解是串联栅极电阻就可以了，不需要反向并联二极管，因为半桥驱动的栅极电阻反向并联二极管是防止mos关闭时间太慢造成上下管短路，我这种POMS加NMOS驱动直流电机的方式不需要自举所有不需要反向并联二极管，只是关断慢一些增加一些损耗