如何提高EEPROM的使用寿命-0等待延时，关于掉电保存数据
上电后将 EEPROM中的数据读到RAM中，平常是读写RAM，掉电时及时将RAM中需要掉电保存的数据保存到EEPROM，就无 EEPROM 擦写寿命这种问题STC8H系列数据手册：https://www.stcai.com/filedownload/631007我现在使用的STC8A8K64D4单片机EEROM是否能够实现如下流程 写数据： 清除扇区 写入 写命令 写地址 写数据 。。。。。。 写数据n个 写入0x5A 0XA5结束 读取流程：写入读命令 写地址 写入0x5A 0XA5 读数据 。。。。。。 读数据n个 结束 琪琪鸭 发表于 2022-12-9 22:04
我现在使用的STC8A8K64D4单片机EEROM是否能够实现如下流程 写数据： 清除扇区 写入 写命令 写地址...
类似于AT24C02的方式:lol 只要那个字节是 FFH 你就可以写，不是 FFH, 你就要擦除整个扇区 神农鼎 发表于 2022-12-9 22:09
只要那个字节是 FFH 你就可以写，不是 FFH, 你就要擦除整个扇区
我可能没理解的你的意思我想做掉电存储所以必须要快 请查看图片。第二张图是我想实现的方式。
先擦除再写入，十几ms就可以完成。 STC8H, IAP-DataFlash/EEPROM 时间
平常不要操作 STC32G/STC8H的EEPROM：
1，上电时读到 SRAM 中；
2，平常在SRAM中改写；
3，掉电时及时保存到 EEPROM/DATA-FLASH中！
用内部比较器做外部掉电检测！！！
其他用法都是错误的用法 神农鼎 发表于 2022-12-10 19:29
平常不要操作 STC32G/STC8H的EEPROM：
1，上电时读到 SRAM 中；
2，平常在SRAM中改写；
:hug:采纳了 梁工 发表于 2022-12-9 23:46
先擦除再写入，十几ms就可以完成。
:lol好的 ，采纳了