琪琪鸭 发表于 2022-12-10 21:55
刚才试了一下 没成功这种写入方式数据失败
楼主测试的怎么样？？？能连续读/写地址+数据吗？每写一个字节都关闭一次IAP，下一次再打开确实耗费时间
lzzasd 发表于 2024-3-6 20:37
楼主测试的怎么样？？？能连续读/写地址+数据吗？每写一个字节都关闭一次IAP，下一次再打开确实耗费时 ...
能力与水平有限吧，经测试稳定性。我这边STC8 STC32依然采用写入单字节的方式。希望有大神可以提供连续写入的方式。
梁工 发表于 2022-12-9 23:46
先擦除再写入，十几ms就可以完成。
市级电压正弦波半周期是10毫秒
神农鼎 发表于 2022-12-9 22:09
只要那个字节是 FFH 你就可以写，不是 FFH, 你就要擦除整个扇区
还可以检测RAM有没有数据被修改，如果有修改了，做个标志位，掉电判断需不需要保存EEPROM
飞捷 发表于 2024-4-3 08:24
市级电压正弦波半周期是10毫秒
我常用光耦PC814检测220V端，1ms内就检测到停电了。
梁工 发表于 2024-4-3 09:20
我常用光耦PC814检测220V端，1ms内就检测到停电了。
要是市电不干净，频繁性的缺个别周波，那岂不把单片机玩死了{:4_167:}
晓飛飛 发表于 2024-4-3 10:16
要是市电不干净，频繁性的缺个别周波，那岂不把单片机玩死了
市电是国家电网，怎么可能会缺个别波形？
就算缺信号，单片机也不会死啊，在呢么会吧单片机玩死？
我觉得平时把用户放在RAM中，电源掉电或用户关机时再保存比较好。
飞捷 发表于 2024-4-3 08:24
市级电压正弦波半周期是10毫秒
误会了，我是说用要在10MS内进行可控硅斩波，所以保存花的时间太长会受影响。只能改电路板了，用你的方式试试，这方式比我以前的用的成本低得多，希望能稳定
神农鼎 发表于 2022-12-10 19:29
平常不要操作 STC32G/STC8H的EEPROM：
1，上电时读到 SRAM 中；
2，平常在SRAM中改写；
不使用比较器，使用低压中断不行吗