用5v工作电压的单片机IO驱动场效应管———学习stcmcu笔记
能不能用IO直接驱动场效应管做开关是大家关心的问题,如图所示,这是我的一个小制作中用场效应管做开关的电路图,单片机工作电压是5v,场效应管用于60v电路做开关,两年来一直安全工作,没有问题,但是有两二个问题需要注意:一 场效应管是电压驱动型元件,场效应管在做开关时,不同型号所需控制电压不同,用5v工作电压的芯片最好选择2–4v控制电压的场效应管,如图
本帖最后由 taihang 于 2024-7-28 17:18 编辑
二 关于电阻R2阻值大小的选择问题需要注意,下图是stc官方的数据,即每个IO口内部都有一个上拉电阻(早期的p0口没有),不同型号的芯片上拉电阻是不同的,由于R2的接入拉低了IO口的电压,所以R2的阻值不能过低,R2阻值过低会导致IO口电压低,效应管会因IO口电压低不能可靠导通甚至不能导通,具体阻值可根据不同芯片的上拉电阻的阻值计算并实际测试,保证IO口为1时电压值大于场效应管控制电压的最大值,这是我的学习笔记,欢迎各位老师和大侠指正。 我用STC8H1K08 直接驱动NMOS,5v系统电压。只要选的MOS管导通电压合适没有问题。已批量验证 用75N75,阻性负载几A的电流,单片机5V直接驱动能用
高可靠、大功率、感性负载(驱动电机等),不建议这样,建议12V驱动
极端应用(如DRSSTC)甚至要负5正12甚至是正负12驱动
感谢楼上几位老师和大侠的指教和帮助!
又上了一课,MOS管的使用 以前用晶体管比较多,后来关于MOS管使用没怎么关注过,正好看看加深印象
页:
[1]