zhange 发表于 2024-6-27 05:30:28

学习。

单片机好难 发表于 2024-6-27 09:37:32

wpy621206 发表于 2024-6-26 20:33
可以带感性负载吗?会不会烧MOS管

负载就是直流电机,因为有续流二极管所以不会烧mos的

单片机好难 发表于 2024-6-27 09:41:54

神农鼎 发表于 2024-6-26 21:07
https://www.stcaimcu.com/forum.p ... ptid=4830&pid=33160




您好,我这是NMOS啊,负载是直流电机

单片机好难 发表于 2024-6-27 09:48:49

lzl1okOK 发表于 2024-6-26 21:09
频率不能做高,关断时候可能会发热

您好,我现在也是担心这个问题,开启的时间还好,电流足够,关断的时候只能通过10k电阻泄放掉,这个时间应该挺慢的,比较庆幸的是开启和关断时间比较长,最短也是10多秒才会开启或关断

网老四 发表于 2024-6-27 11:04:30

低频NMOS低侧开关,如果是低压MOS管,开通电压Vgsth一般1-2V,可以直接用单片机IO口5V驱动就行了,
如果是高压MOS管,开通电压Vgsth一般4V左右,需要10V左右电压驱动,单片机IO口就需要增加一级电平转换电路,开关速度慢的话,简单的三极管开关就行了

神农鼎 发表于 2024-6-27 11:07:52

断地都是错误的坏习惯,断 高压-HVCC 部分

梁工 发表于 2024-6-27 13:51:16

慢速(周期秒级别以上)驱动P-MOS的两个图没有问题,但要注意如果是感应负载要反向并联二极管抑制反电动势。
驱动N-MOS的电路,前面的三极管不分可不用,IO直接接R67左边即可,R67我用300~1K,R68接到IO(即与R67左边一起接IO),减小分压。APG40N10D在VGS=4.5V、ID=7A时还能有26mR的导通电阻,对于100V的N-MOS是非常好的。

lijun4545 发表于 2024-7-3 15:35:39

最标准的是用两个三极管一个二极管,有拉有灌

haiyang201 发表于 2024-7-27 11:35:23

网老四 发表于 2024-6-27 11:04
低频NMOS低侧开关,如果是低压MOS管,开通电压Vgsth一般1-2V,可以直接用单片机IO口5V驱动就行了,
如果是高压M ...

IO口 用什么模式呢我用推挽模式关不掉

网老四 发表于 2024-7-27 11:44:19

haiyang201 发表于 2024-7-27 11:35
IO口 用什么模式呢我用推挽模式关不掉

一般高速开关要用推挽模式,低速开关准双向,不会关不断,你把原理图发过来分析,
页: 1 [2] 3
查看完整版本: 请教梁工,三极管驱动MOS管