求解一个电路（与单片机无关）一个震动盘可控硅电路
本帖最后由 飞捷 于 2024-2-27 17:29 编辑已知线圈电感为300MH，电感当前电流为3A，电路的电阻为1K，电容为0.01UF，求电容过程中需要承受多少V的电压？
有没有人帮出公式解答一下。
电路被我缩减成如图片，原理是通过单片机检测零点，然后触发可控硅导通线圈，当市电为0V的，可控硅关闭，线圈电流处于最大值3A，想通过电容和电阻来消耗线圈的能量。外面很多人都用0.01UF的电容，但是感觉线圈的能量太大了，电容估计会被撑爆
可控硅是零电流关闭的，一般的可控硅无法控制他关闭。
这种情况建议用压敏电阻来吸收。1k电阻用欧姆定律都算得出来3kV，不太现实。 假设电感起始电流为3A ，电容起始电压为0V ， 没有其它泄流路径， 则RLC电路振荡，能量逐步在电阻中消耗。
最大电压发生在第一个振荡周期的前半波，此时消耗的能量还很少，最大电压可取全部电感能量转换为电容能量的瞬间，能量守恒定律以下公式成立：
I^2L/2 = V^2C/2
算出结果电容最高电压为 16431V
从运算结果来看，这个电路图是不太现实了，会不会是你自己理解有问题呢？
可控硅一般是过零触发，零点自关闭， 如果你这个是可控硅的吸收阻容，那么3A电流是可控硅的工作电流，而不是关断时有3A电流 cnos 发表于 2024-3-1 20:25
可控硅是零电流关闭的，一般的可控硅无法控制他关闭。
这种情况建议用压敏电阻来吸收。1k电阻用欧姆定律都 ...
电感和电容算出的谐振频率是非常高，所以只是那么几微秒是高电压 tzz1983 发表于 2024-3-2 08:00
假设电感起始电流为3A ，电容起始电压为0V ， 没有其它泄流路径， 则RLC电路振荡，能量逐步在电阻中消耗。...
但是别人的成品是这样设计的，而且可以用。 就是谐振频率的第一个前半波，过程也有电阻在消耗能量。I^2L/2 = V^2C/2+前半周期电阻瞬耗 ，算出结果电容最高电压应该比 16431V低，但是到底为多少，不知如何运算？翻看以前的大学书，找不到可以解答这个问题 cnos 发表于 2024-3-1 20:25
可控硅是零电流关闭的，一般的可控硅无法控制他关闭。
这种情况建议用压敏电阻来吸收。1k电阻用欧姆定律都 ...
在电感处有并一个压敏电阻，压敏电阻是用来保护高电压瞬间击穿的，不知道不能吸收？ 本帖最后由 tzz1983 于 2024-3-2 09:48 编辑
飞捷 发表于 2024-3-2 09:11
但是别人的成品是这样设计的，而且可以用。 就是谐振频率的第一个前半波，过程也有电阻在消耗能量。I^2L/ ...
我前面说了，假设没有其它泄流路径，你又说有压敏电阻....想要解决问题，又不愿把事情说清楚，论坛内很多这种情况，难搞。 tzz1983 发表于 2024-3-2 09:43
我前面说了，假设没有其它泄流路径，你又说有压敏电阻....想要解决问题，又不愿把事情说清楚，论坛内很 ...
是我对压敏的理解有误，所以没有提起。但是按压敏电阻的功率0.4W，好像也受不了这功率啊 飞捷 发表于 2024-3-2 09:58
是我对压敏的理解有误，所以没有提起。但是按压敏电阻的功率0.4W，好像也受不了这功率啊 ...
那主要吸收的就是压敏电阻了，压敏电阻的持续功率0.4但是瞬时功率是非常高的，找一颗压敏电阻的手册翻翻你就知道了。 LTSpice
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