关于STC8改用内部上拉电阻后,上电按键INT0误触发1次
刚在地球上飘，在某个角落看到1个1周无人回答到位的问题：关于STC8单片机改用内部上拉电阻后每次上电按键INT0误触发1次原因探讨
一、问题
近日碰到个奇怪的问题：STC8单片机按键接P32脚INT0（边沿或下降沿），用外部上拉电阻本来很正常的，后来改用内部上拉4.1K电阻后，每次上电INT0误触发+1次！理应等同，已验证内部上拉电阻设置成功，已排除其他干扰，百思不得其解！决定必须一查到底！
二、之前代码
[*]void BOOT() //总初始化 最简整理221215; (STC8G1K08)
[*]{
[*] dl_ms(100); //上电适当延时一下好些;
[*] P1M1=P5M1=0x00, P1=P5=0xff, //P1P5口:均设双向置1; 其他默认;
[*] P3M1=0x0C; P3 |=0xf3; //P3口:P32按键、P33脚都是边沿中断设高阻不置1,其余双向置1;
[*]
[*] status=Kc= 0; //初值: status工作状态标志 (开机0/待机1/复位2), Kc短按次数);
[*] G=R=b=W=0, dl_ms(1000); //开机/复位后: 绿红蓝白灯 全亮1s灭1s;
[*] G=R=b=W=1, dl_ms(1000); // 问题发现: 以上3行放最后面编译代码少1B;奇怪?
[*]
[*] P_SW2 |= 0x80; //访问XSRF先BIT7=1; 统一放前无需归零(有外扩64K扩展RAM时才要);
[*] P3IE=0x0C, P1IE=0x00, P5IE=0x20; //输入只留P32、P33、P55(其余全关);
[*] //P55控制大灯W（用到if W==1读端口还是读引脚？先不关）;
[*] P3PU=0x04; //使能内部上拉电阻;
[*] TMOD= 0x01; //T0:模式01;16位不自动重载(默认12T);消抖用的查询方式;
[*] EX0=EX1=EA =1; //开中断;
[*]
[*]}
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三、措施对策1、 先暂时软件处理-1次。可以解决。但还得追究根本原因；
2、先后试了开中断前后加空操作或足够的延时等办法，均无效；
3、最后，调整段落，发现将第3段代码（最后5行）改到第2段代码（中间3行）的前面后，居然就正常了（终于用内部上拉或外部上拉都完全一样了）！代码附后；
4、但还是百思不得其解！ 后面有空再继续研究，走过路过感兴趣的朋友不妨一起查查具体原因。
理论上:上拉电阻用外接或内置完全等同, 只需注意先设置好后再开中断;
问题是：后2段代码前后调换，究竟哪里不同了?注意到编译后代码量还会差1B; 为什么?
四、目前代码
[*]void BOOT() //总初始化 最简整理221217改; (STC8G1K08)
[*]{
[*] dl_ms(100); //不变;
[*] P1M1=P5M1=0x00, P1=P5=0xff, //不变;
[*] P3M1=0x0C; P3 |=0xf3; //不变;
[*]
[*] P_SW2 |= 0x80; //;
[*] P3IE=0x0C, P1IE=0x00, P5IE=0x20; //;
[*] P3PU=0x04; //;
[*] TMOD= 0x01; //;
[*] EX0=EX1=EA =1; //开中断; 前4行任1条放最后面多1B;奇怪?
[*]//以上5行改放最后每次上电int0误触发1次! 但加外接上拉电阻随便几K就不会!奇怪?
[*]
[*] status=Kc= 0; //;
[*] G=R=b=W=0, dl_ms(1000); //;
[*] G=R=b=W=1, dl_ms(1000);
[*]}
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csdn上面也有此文，均为本人所发，暂未有人答复。
答：不是误触发，是 MCU 太快
这种小问题，看下 I/O 部分，不就懂了， 现在的MCU 太快！
外部上拉，是MCU 正式开跑之前，外部已被拉高；
外部无上拉，程序开跑时，你才打开内部上拉，你要等一段时间，外部才会被拉高到2V以上，
===你程序要加延时！！！
STC8/STC32G系列是高速MCU 时代
大致估计等待 时间 R*C, 这个C 是 芯片和PCB上的分布电容，总要等个 0.7 R*C 的时间， 才大约到 2V 以上
不知道如何算这个等待时间，你就反复读这个 I/O变高，维持 200uS ~ 1mS 的高就行，
刚开始的浮空，读出是不确定的
关键时刻，必须到官方 8051纯技术交流社区 www.STCAIMCU.com 报道，才有正确答案, 这样效率也高 开启外部中断前，先清一下中断标志试试：
STC官方实验箱 INT0/INT1 这2个 PIN 都加了外部上拉，
如没加外部上拉，打开内部上拉后，立即去读外部状态，
这时 很多时候读到的是低电平，所以 MCU 认为有下降沿来了很正常
看到一 网友在 另外一个 地方 对他这个问题的指点
我再讲下，IC/PCB都有分布电容效应，相当于I/O外部对地还有个接地的电容如：
100pF ~ 500pF 到地
大约 R*C 时间之后，I/O 被准确的拉高
套用下面的这个延时电路，讲下，大家就明白了
这个10K*10uF是个延时电路，上电延时 R*C个时间为低电平后被准确拉高
你将这个10uF 想象成每个 I/O在内部和外部走线引起的分布电容，如 100pF ~ 500pF以上
===外部 PCBI/O 走线越长越粗，则分布电容越大
那个10K上拉是你内部打开的4K 上拉，那你要读到高的等待时间可能是
R*C = 4K * 300pF,STC8/STC32G 可能已经跑了几万条指令，
0.7R*C 是比较合理的，3.3V 工作， 2V 以上就肯定是高了
系统初始化程序，简易直接先判断I/O变高 100uS ~ 1mS后，再 打开这个I/O口的中断
想想，外部实际有个分布电容已将I/O拉低，你打开内部上拉，
他总得有个充电时间才能拉高吧, 所有的问题回到基本的 R*C原理上来
加吧！上电复位前的状态不可控！程序控制也只是程序运行后。特别是终端初始化再一些按键初始化前 本帖最后由 梁工 于 2023-2-1 23:17 编辑
INT0~INT4内部有硬件边沿（上升沿、下降沿）检测电路，上电时，IO是高阻，IO有0到1或1到0的变化，所以标志为1。
我一直养成一个好习惯：
开中断前，先清除中断标志！
开中断前，先清除中断标志！
开中断前，先清除中断标志！
重要的事说3遍。
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