这个三相的驱动电路没有看明白。它的驱动信号与mos管的控制逻辑能不能详细解答一下。
单独拿出一相分析，在不考虑死区的情况下，L H信号是实时反相的吗？
twdoowmg 发表于 2024-11-27 11:16
这个三相的驱动电路没有看明白。它的驱动信号与mos管的控制逻辑能不能详细解答一下。
单独拿出一相分析， ...
高低侧驱动信号是同相的
输出0：
低侧驱动信号为1，下MOS管导通，输出0，1uF自举电容通过二极管充电到12V，高侧驱动信号也为1，三极管导通，三极管C/上MOS管G=0V，VGS=0，上MOS管截止，但1uF自举电容被充电到12V
输出1：
低侧驱动信号为0，下MOS管截止，高侧驱动信号为也0，三极管截止，1uF自举电容对上MOS管VGS充电，上MOS管VGS=12V导通，S=D=12V，G=12+12=24V，这就是自举过程，二极管VAK=12-24=-12V截止，三极管VCE=24V
耐压要求：二极管反向耐压至少为电源电压，三极管VCE耐压至少为2倍电源电压
DebugLab 发表于 2024-11-27 13:29
高低侧驱动信号是同相的
输出0：
低侧驱动信号为1，下MOS管导通，输出0，1uF自举电容通过二极管充电到12V ...
感谢版主解答。一直带入之前的H桥上下管互补。这个也这么想怎么看也不对。如果是同相就看懂了。
神农鼎 发表于 2023-11-9 11:29
梁工有交代：
电磁继电器使用时要注意几个问题：
1、选择继电器时根据具体使用场合（电流浪涌）选择触点电 ...
请问第二点触点灭弧电路RC如何正确的计算，如我现在使用继电器的触点去切交流异步电机800W的电源
梁工 发表于 2023-11-20 11:06
线圈驱动类继电器（包括接触器）从线圈通电到触点吸合需要一定的时间，并且同一型号、同一批次，其吸合时 ...
如果这种场景用大功率的可控硅会不会好一点？
lichaoming 发表于 2024-12-1 18:01
如果这种场景用大功率的可控硅会不会好一点？
也可以，但要注意抑制浪涌电流、抑制反电动势。
梁工 发表于 2024-12-1 18:47
也可以，但要注意抑制浪涌电流、抑制反电动势。
浪涌抑制反向电动势的抑制有没有设计参考的资料 ？
lichaoming 发表于 2024-12-2 09:46
浪涌抑制反向电动势的抑制有没有设计参考的资料 ？
我没有现成的，你可以去网上搜搜看。
感谢,楼主介绍的很仔细,看来以后收获很多
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