神农鼎 发表于 2022-12-20 09:03:01

用内部比较器，就外加2个电阻比较电压而已，平常是操作 SRAM

国学芯用 发表于 2022-12-20 09:22:54

2楼正解   是最广泛应用的方案

manzunzu 发表于 2022-12-21 16:19:30

是保存参数用吗，低电压中断，擦除eeprom，保存参数。外部电容用大点就可以了。

神农鼎 发表于 2022-12-21 21:28:53

“上电后将 EEPROM中的数据读到RAM中，平常是读写RAM，
掉电时及时将RAM中需要掉电保存的数据保存到EEPROM，”这样不在运行过程中擦除数据，就不会有这个问题了“
===STC 官方要求这个 DATA-FLASH 当EEPROM使用，正解是用比较器做掉电检测，平常不操作这个内部DATA-FLASH/EEPROM



琪琪鸭 发表于 2022-12-25 12:38:48

梁工 发表于 2022-12-19 15:08
原来是这个意思。没办法的，我们的EEPROM是FLASH形式的，正在擦除或写入时，是不能访问FLASH的，基本上都 ...

对没错的 24系列确实写入一个区域，需要等一个延时 在写下一个区域。。。。如果写入数据多还是单片机自带的eeprom舒服。

神农鼎 发表于 2022-12-25 13:59:31

用比较器，只有掉电才擦除/改写内部EEPROM, 平常操作 SRAM, 这是官方现在的唯一推荐 ！

LFB 发表于 2023-3-4 09:56:16

神农鼎 发表于 2022-12-25 13:59
用比较器，只有掉电才擦除/改写内部EEPROM, 平常操作 SRAM, 这是官方现在的唯一推荐 ！ ...

停机是不是其它操作都是停止的,比如串口接收.

神农鼎 发表于 2023-3-4 10:13:53

只有CPU被暂停时钟供应，其他外设都有时钟在工作
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查看完整版本: 想想办法解决擦除EEPROM会停机的问题