梁工，和您请教，今天看到这个半桥图，在mos管的ds极并联RC电路，我不明白的是，半桥驱动中mos管的体二极 ...
MOSFET的体二极管速度较慢，所以放了RC吸收电路。急剧变化的di/dt会导致高速、高压的反电动势尖峰L*di/dt，体二极管不够迅速，所以RC来帮忙，C吸收尖峰，R阻尼寄生高频振荡。 梁工 发表于 2025-12-11 17:44
MOSFET的体二极管速度较慢，所以放了RC吸收电路。急剧变化的di/dt会导致高速、高压的反电动势尖峰L*di/dt ...
感谢梁工，我是用两个半桥组成的H桥，图中测量DS电压不会超过vdd+二极管的正向压降
问题1.我认为DS并联的RC吸收电路不是必须的，如果mos的体二极管反向恢复慢，是不是可以像图中一样DS再增加一个肖特基二极管（但是DS不增加肖特基二极管和RC吸收电路也不会超压）
问题2.参考您的无刷电路图中，DS之间没有任何元件是否也可以（不增加额外的肖特基二极管，和RC吸收电路就用mos管的体二极管续流）
问题3.栅极驱动电阻反向并联二极管，作用是加速关断，半桥驱动中必须慢开快关，防止上下管直通，我之前的低边驱动电路，只有
一个mos管，所以不需要反向并联二极管，只有一个栅极电阻就可以，因为不存在短路风险，不知道我理解的对不对
jkwnejot 发表于 2025-12-12 10:22
感谢梁工，我是用两个半桥组成的H桥，图中测量DS电压不会超过vdd+二极管的正向压降
问题1.我认为DS并联的 ...
基本上很少电路会加RC吸收，一般的电机驱动速度都是够的。如果你实在要加二极管，用快恢复二极管吧。 梁工 发表于 2025-12-12 10:33
基本上很少电路会加RC吸收，一般的电机驱动速度都是够的。如果你实在要加二极管，用快恢复二极管吧。 ...
好的。梁工，还是参考您的电路吧 梁工 发表于 2025-12-12 10:33
基本上很少电路会加RC吸收，一般的电机驱动速度都是够的。如果你实在要加二极管，用快恢复二极管吧。 ...
梁工，电压满足的情况下，我用肖特基不行吗？我一直认为在低于100v的情况下，肖特基是最好的
jkwnejot 发表于 2025-12-12 17:12
梁工，电压满足的情况下，我用肖特基不行吗？我一直认为在低于100v的情况下，肖特基是最好的
...
你看手册比对一下其时间参数。 用个36V的开关电源啊，100-240V都行。。。 李鑫发 发表于 2025-12-12 21:36
用个36V的开关电源啊，100-240V都行。。。
开关电源在国外销售时，认证是困难的，但是变压器很容易通过，所以只能这样做了 梁工 发表于 2025-12-12 18:41
你看手册比对一下其时间参数。
梁工好，今天上午整理了，肖特基二极管，超快恢复二极管，和快恢复二极管的反向恢复时间数据
1.肖特基二极管数据手册是不写反向恢复时间，和厂家确认了肖特基反向恢复时间小于10ns，典型值在2~8ns，不随电压和电流变化
2.超快恢复二极管的反向恢复时间，手册有写，35ns
3.快恢复二极管的反向恢复时间50~75ns
4.扬杰原厂的回复是在200v以下，肖特基二极管是最快的，只是漏电流会大一些，具体的反向恢复时间测试数据周一会发送
5.在600v以上性能最好的是碳化硅二极管，解决了肖特基不耐高压，反向恢复时间等于肖特基甚至小于肖特基
jkwnejot 发表于 2025-12-13 13:05
梁工好，今天上午整理了，肖特基二极管，超快恢复二极管，和快恢复二极管的反向恢复时间数据
1.肖特基二 ...
耐压够那就用肖特基二极管，最好有1.2~1.5倍耐压冗余。
页:
1
[2]