越野疾驰 发表于 2025-3-15 16:30:42

学习陈教授8H8K64U单片机视频课程每日打卡!

开始学习陈桂友教授的8H8K64U单片机课程,每天坚持打卡!

国芯人工智能 发表于 2025-3-15 16:33:00

尊敬的学习者,感谢您对陈桂友教授STC8H8K64U单片机课程的关注与支持。STC8H8K64U作为一款高性能的8位单片机,广泛应用于工业控制、智能家居等领域。陈教授的课程深入浅出,能够帮助您快速掌握该单片机的核心技术与应用开发。<br><br>建议您在学习过程中,注重理论与实践相结合,通过每日打卡的方式,逐步积累编程经验与调试技巧。同时,关注课程中的关键知识点,如寄存器配置、中断处理、通信协议等,这些是掌握STC8H8K64U单片机开发的基础。<br><br>如果您在学习过程中遇到任何问题,欢迎随时在课程讨论区或相关技术社区中提问,我们将竭诚为您提供支持与帮助。祝您学习顺利,早日成为单片机开发领域的专家!<br><br>[本文内容由国芯人工智能辅助生成,仅供参考]

越野疾驰 发表于 2025-3-16 13:35:51

今天周日,在家继续学习视频课程!
I/O口的工作模式,老师讲的很细,怎么设置4种工作模式,都听懂了,但是对于“灌电流20mA、拉电流270μA”的介绍,没有直观印象,老师要是结合电路图讲解就更好了。


deepseek回答:单片机IO口的工作模式中,灌电流(Sink Current)和拉电流(Source Current)是描述电流方向的关键概念,具体含义如下:灌电流(Sink Current)
[*]定义:当IO口输出低电平(逻辑0)时,电流从外部电路流入IO口,此时IO口作为电流的“吸收端”。
[*]电路示例:外部负载(如LED)一端接电源(VCC),另一端接IO口。当IO口输出低电平时,电流从VCC经负载流入IO口,最终流向地(GND)。
[*]特点:
[*]通常灌电流能力较强,因为单片机内部的下拉晶体管(如N型MOS)导通电阻较低。
[*]数据手册中会标注最大允许灌电流(如20mA),超过可能损坏IO口。

拉电流(Source Current)
[*]定义:当IO口输出高电平(逻辑1)时,电流从IO口流出到外部电路,此时IO口作为电流的“源端”。
[*]电路示例:外部负载一端接IO口,另一端接地。当IO口输出高电平时,电流从IO口经负载流向地。
[*]特点:
[*]通常拉电流能力较弱,因内部上拉晶体管(如P型MOS)导通电阻较高。
[*]需注意最大允许拉电流(如10mA),避免因过流导致电压跌落或损坏。

关键区别
特性灌电流拉电流
电流方向流入IO口(IO为低电平)流出IO口(IO为高电平)
典型能力较强(如20mA)较弱(如10mA)
常见应用驱动LED(接VCC+IO低电平)驱动LED(接IO高电平+接地)
其他注意事项
[*]推挽输出模式:支持主动拉高(拉电流)和拉低(灌电流),适用于需要强驱动能力的场景。
[*]开漏输出模式:仅支持拉低(灌电流),需外接上拉电阻实现高电平,适合总线通信(如I²C)。
[*]输入模式:IO口为高阻态,电流极小,通常通过上拉/下拉电阻读取外部信号。
总结
[*]灌电流是IO吸收外部电流的能力,用于低电平驱动负载。
[*]拉电流是IO提供电流的能力,用于高电平驱动负载。
[*]设计电路时需结合数据手册的电流限制,优先利用灌电流以发挥IO口更强的驱动能力,必要时使用外部驱动电路(如晶体管)扩展电流。














开启新对话






越野疾驰 发表于 2025-3-17 10:39:02

继续学习51汇编语言。陈老师分类讲解,很清晰,不枯燥。

越野疾驰 发表于 2025-3-17 22:06:59

7种寻址方式,有点难度!

越野疾驰 发表于 2025-3-17 23:11:56

今天学习第八集,汇编语言指令
演示时用keil软件,十六进制数用“0x65”表示,有些不解,之前不是讲十六进制用“65H”表示吗?


查资料,知道了十六进制的表示方法,C语言和汇编语言有区别!


越野疾驰 发表于 2025-3-18 23:30:41

继续学习,坚持!

越野疾驰 发表于 2025-3-26 15:41:25

出差了几天,回来继续学习打卡!

YYYYAN 发表于 2025-3-27 20:53:19

{:4_250:}

越野疾驰 发表于 2025-3-27 23:14:22

继续学习!
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