神农鼎 发表于 2024-1-25 18:08
看不懂你的图，还是从我们正确的图开始
和你发的光耦图是一样的，就是OCout一直是高电平，光耦导通后也是高电平，感觉IO口配置的问题？但是作为输入 配置成双向推拉后 也没有其它要配置的？看手册上样例 还要弱上拉 再去读取，但是我试了效果一样还是高电平。或者你我一个IO口作为输入读取的配置使用，我再试一下 我也是很疑惑，为啥拉不到低电平。谢谢
本帖最后由 jwd 于 2024-1-26 13:36 编辑
ryxhxm 发表于 2024-1-25 17:40
您好 我用的STC8H1K08, IO口配置的都是双向推拉口，也就是都是 P1M1 = 0x00; // P1口的0、2 ...
这种光耦3脚是地，4脚才是输出吧
ryxhxm 发表于 2024-1-25 17:40
您好 我用的STC8H1K08, IO口配置的都是双向推拉口，也就是都是 P1M1 = 0x00; // P1口的0、2 ...
再一个，你既然用光耦的话，就不用共地了吧；光耦二极管端最好串限流电阻
大家误解了 我用的不是光耦 光电传感器，现在加了一个电压比较器，单片机管脚就可以直接判断高低，原来直接连接上上去不行。就先这样解决了，谢谢大家的关注
zhudean11 发表于 2023-12-8 08:44
数电模电确实需要懂一些
{:4_250:}
xxkj2010 发表于 2023-12-22 10:50
这个好像与STM32道理相同。
单片机都是这个理{:lol:}，因为内核物理层基础是数电的理论依据
是不是可以这样理解，IO口对外锁存很重要，改变IO口模式前先将对外锁存根据自己的硬件电路写成安全的值，避免IO口模式一修改生效就对外产生自己不想要的电平状态，引起危险。
太厉害了，不过这个弯绕的人晕
支持,新人还是要多看手册
这篇文章再次恰到好处的出现了