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求解一个电路(与单片机无关)一个震动盘可控硅电路

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发表于 2024-2-27 17:25:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 飞捷 于 2024-2-27 17:29 编辑

已知线圈电感为300MH,电感当前电流为3A,电路的电阻为1K,电容为0.01UF,求电容过程中需要承受多少V的电压?


有没有人帮出公式解答一下。

电路被我缩减成如图片,原理是通过单片机检测零点,然后触发可控硅导通线圈,当市电为0V的,可控硅关闭,线圈电流处于最大值3A,想通过电容和电阻来消耗线圈的能量。  外面很多人都用0.01UF的电容,但是感觉线圈的能量太大了,电容估计会被撑爆


截图202402271723438405.jpg

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感觉这是一个电棒,就是读初中时,溜出去看电影,晚上回校晚,被巡样的老师拿电棒追着跑的那种电棒,吱吱吱,电压特高的那种!  发表于 2024-3-1 22:41
纸上得到终觉浅,绝知此事要躬行。
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发表于 2024-3-1 20:25:52 | 显示全部楼层
可控硅是零电流关闭的,一般的可控硅无法控制他关闭。
这种情况建议用压敏电阻来吸收。1k电阻用欧姆定律都算得出来3kV,不太现实。
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发表于 2024-3-2 08:00:24 | 显示全部楼层
假设电感起始电流为3A ,电容起始电压为0V , 没有其它泄流路径, 则RLC电路振荡,能量逐步在电阻中消耗。
最大电压发生在第一个振荡周期的前半波,此时消耗的能量还很少,最大电压可取全部电感能量转换为电容能量的瞬间,能量守恒定律以下公式成立:
I^2L/2 = V^2C/2  
算出结果电容最高电压为 16431V

从运算结果来看,这个电路图是不太现实了,会不会是你自己理解有问题呢?
可控硅一般是过零触发,零点自关闭, 如果你这个是可控硅的吸收阻容,那么3A电流是可控硅的工作电流,而不是关断时有3A电流
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发表于 2024-3-2 09:07:28 | 显示全部楼层
cn*** 发表于 2024-3-1 20:25
可控硅是零电流关闭的,一般的可控硅无法控制他关闭。
这种情况建议用压敏电阻来吸收。1k电阻用欧姆定律都 ...

电感和电容算出的谐振频率是非常高,所以只是那么几微秒是高电压
纸上得到终觉浅,绝知此事要躬行。
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发表于 2024-3-2 09:11:48 | 显示全部楼层
tzz1*** 发表于 2024-3-2 08:00
假设电感起始电流为3A ,电容起始电压为0V , 没有其它泄流路径, 则RLC电路振荡,能量逐步在电阻中消耗。  ...

但是别人的成品是这样设计的,而且可以用。 就是谐振频率的第一个前半波,过程也有电阻在消耗能量。I^2L/2 = V^2C/2  +前半周期电阻瞬耗 ,算出结果电容最高电压应该比 16431V低,但是到底为多少,不知如何运算?翻看以前的大学书,找不到可以解答这个问题
纸上得到终觉浅,绝知此事要躬行。
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发表于 2024-3-2 09:16:37 | 显示全部楼层
cn*** 发表于 2024-3-1 20:25
可控硅是零电流关闭的,一般的可控硅无法控制他关闭。
这种情况建议用压敏电阻来吸收。1k电阻用欧姆定律都 ...

在电感处有并一个压敏电阻,压敏电阻是用来保护高电压瞬间击穿的,不知道不能吸收?
纸上得到终觉浅,绝知此事要躬行。
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发表于 2024-3-2 09:43:18 | 显示全部楼层
本帖最后由 tzz1983 于 2024-3-2 09:48 编辑
飞*** 发表于 2024-3-2 09:11
但是别人的成品是这样设计的,而且可以用。 就是谐振频率的第一个前半波,过程也有电阻在消耗能量。I^2L/ ...

我前面说了,假设没有其它泄流路径,你又说有压敏电阻....  想要解决问题,又不愿把事情说清楚,论坛内很多这种情况,难搞。
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发表于 2024-3-2 09:58:41 | 显示全部楼层
tzz1*** 发表于 2024-3-2 09:43
我前面说了,假设没有其它泄流路径,你又说有压敏电阻....  想要解决问题,又不愿把事情说清楚,论坛内很 ...

是我对压敏的理解有误,所以没有提起。但是按压敏电阻的功率0.4W,好像也受不了这功率啊
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发表于 2024-3-4 09:23:10 | 显示全部楼层
飞*** 发表于 2024-3-2 09:58
是我对压敏的理解有误,所以没有提起。但是按压敏电阻的功率0.4W,好像也受不了这功率啊 ...

那主要吸收的就是压敏电阻了,压敏电阻的持续功率0.4但是瞬时功率是非常高的,找一颗压敏电阻的手册翻翻你就知道了。
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LTSpice



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