小涵子爸爸 发表于 2024-7-27 21:58
关于5817和5819的选择，看论坛里面说的应该是能通用
是的，我查了下试验箱9.6的，确实没多大影响
18344371880 发表于 2024-7-27 21:54
在这，自己给自己顶个贴，期待大佬回答，目前，STC8051u是把ADC基准电压和VCC做到了一块了，那么，不论是在 ...
一下子脑子短路了，没想到内部基准电源这回事了，没事了，现在
感觉ADCref和VCC合在一起是为了兼容89c52
soma 发表于 2024-7-27 22:43
感觉ADCref和VCC合在一起是为了兼容89c52
是的，内部做了处理的
本帖最后由 晓飛飛 于 2024-7-28 11:36 编辑
1，1N5819比1N5817反向耐压更大，一般来说反向耐压越大，正向压降越大，而反向漏电流越小，相对于压降带来的影响，我认为反向漏电流更应该优先考虑，因此我推荐耐压高一些的1N5819，
2，晶振的匹配电容默认15pF是可以的，需要特别好精度的话，需要实测微调
3，检测是否外部供电可以直接在二极管外部分压送给单片机IO检测
晓飛飛 发表于 2024-7-27 23:45
1，1N5819比1N5817反向耐压更大，一般来说反向耐压越大，正向压降越小，而反向漏电流越大，相对于压降带来 ...
感谢大佬{:4_202:}
晶振配套的电容似乎是根据晶振的特性来选的，也就是说要看你用的晶振的数据。实操中随便用吧，感觉影响不大。说实在的，你手上的电容的误差、pcb带来的偏差都不止那5个10个p吧
chenc 发表于 2024-7-28 08:34
晶振配套的电容似乎是根据晶振的特性来选的，也就是说要看你用的晶振的数据。实操中随便用吧，感觉影响不大 ...
确实也是
跟着学些巩固一些基本知识
二极管推荐用长电的DSS14，压降小，至于漏电流，远小于电池的自放电了（常温）