STC的IAP-FLASH为何称为EEPROM
本帖最后由 晓飛飛 于 2024-4-7 11:45 编辑今天聊聊这个比较古老而又敏感的话题，STC芯片手册中，明确描述STC单片机是利用ISP/IAP技术将内部Data Flash当EEPROM，擦写次数唉10万次以上，扇区尺寸为512字节。
众所周知，FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区擦除操作，EEPROM则按字节改写操作。FLASH存储器的发明时间和商用时间均比EEPROM晚，FLASH存储器是在EEPROM的基础上，去除了储存单元里面的选择Tansister，简化了寻址结构而来，因此只能按扇区或Page操作。
EEPROM结构 FLASH结构
从操作方式、存储密度、成本各方面来说，FLASH和EEPROM的区别是非常大的。那么，STC为什么将FLASH存储器称为EEPROM？
FLASH存储器当然可以当成EEPROM，那是因为FLASH本来的名字叫做FLASH EEPROM，属于EEPROM的一个分支，EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，FLASH存储器是符合这个特征的。只是随着FLASH存储器独立做大，远超了传统EEPROM，所以从狭义上我们单独称为FLASH存储器或闪存。
从这个概念来说，STC把MCU内部FLASH存储器称为EEPROM虽然有偷换概念的嫌疑，但也算讲的过去。
由于STC的EEPROM的真身是FLASH存储器，因此，以下一些应用特点都是需要注意的：
[*]存储其中的0写为1必须先擦后写，不能直接覆盖，擦除扇区大小为512字节，
[*]擦或写存储区时，需要暂时关闭中断，
[*]例如，想对N多页数据中同时只改写每页中某个字节时，效率相对低下，
[*]改写某一页的某个字节至少需要开销512字节的XRAM用于临时存放镜像，对于RAM资源紧缺的型号是有一定困难的；
[*]官方手册中特别提示“在工作电压偏低时，建议不要进行EEPROM操作，以免发送数据丢失的情况”，但具体偏低到多少没有明确给出数据，因此存在不可靠风险，企图做掉电保存的童鞋一定要从单片机LDO前端，甚至从是更靠前级的电源捕获掉电事件，争取更多的供电稳定期来操作存储器。
[*]保存数据无法使用开发工具直接读出，需要编写程序配合，所以数据具有更高的保密性能，更换MCU后，存储数据随之带走
[*]EEROM空间是从程序FLASH空间分配出来的，需要根据数据存储需求和代码量做好存储空间规划
[*]官方承诺了10万次以上的擦写寿命，网友测试的实际寿命远超于此，具体是多少不得而知，可以放心使用
对于以下应用场合建议外挂FRAM或者EEPROM芯片：
[*]需要大量存储参数，且按字节改写频繁的应用场合
[*]真实需要100万次以上擦写寿命的
[*]小RAM的MCU
[*]可靠性要求极高的场合
[*]具有不可暂时打断的任务，或者不适合暂时关闭的中断
对于以下场合建议使用STC内置EEPROM
[*]成本需要苛刻控制的
[*]存储数据需要严格保密的
[*]PCB空间存在约束的
[*]本来就需要外挂FLASH芯片用于存储少量数据的
综上所述，STC的EEPROM同时继承了FLASH存储器的优势和弊端，而且又具有无与伦比的保密安全性。其应用特点在手册里面已经描述的很详细了，建议广大使用STC的童鞋仔细阅读手册中红色和蓝色字体的内容，非常重要。
补充个人观点，STC与其刻意的强调EEPROM这个概念并且将其作为卖点，多多少少会让人感到不适，还不如大大方方的讲出来就是IAP-FLASH或者Data-Flash，其保密性能、性价比、擦写寿命都是闪光的地方，我想STC会得到更很多电子工程师的认可和应用。
就如楼主分析的两种场景建议一样，Flash做EEPROM确实给用户带来了方便。
不知道官方是否可以考虑把EEPROM的读写擦除以库函数的方式放进系统ISP中，时钟参数、屏蔽中断等自动完成后，以函数方式提供调用方法。 说得在理 难怪eeprom大小可调，原来并不是真正的eeprom而是flash eeprom啊 21cnsound 发表于 2024-3-22 12:57
就如楼主分析的两种场景建议一样，Flash做EEPROM确实给用户带来了方便。
不知道官方是否可以考虑把EEPROM的 ...
官方有封装好的函数，直接引用调用即可，非常方便 soma 发表于 2024-3-22 13:23
难怪eeprom大小可调，原来并不是真正的eeprom而是flash eeprom啊
很多工程师，把这个存储器类型误解了，应用中遇到很多问题，其实讲清楚就好了，避免很多麻烦。 本帖最后由 纯今 于 2024-4-12 21:12 编辑
你好：为了降低成本，各半导体公司都差不多都玩这种小把戏
STM32F103C8T6的内部FLASH容量有64K，如果需要使用到内部FLASH来保存我们自定义的一些数据，则一般会选择存储后面的页
例如：输 入 参 数 : startAddress 指定读取地址(STM32F103C8T6的FLASH大小为64K选择最后一个扇区作为我们存储数据的存储区，地址范围为：0x800FC00~0x800FFF)
FLASH_ErasePage(sectorStartAddress); //擦除这个扇区。
还要用到函数名称 : LibDriveFlashWriteMoreData 功 能 描 述 ：向指定地址写入多个数据。
区别是STM手册表明自己没有EEPROM，STC手册如你诟病的那种表述，你是主张像STM那种表达。
哈哈，在我看来这恰恰是STC很中国的地方
纯今 发表于 2024-4-12 21:09
你好：为了降低成本，各半导体公司都差不多都玩这种小把戏
STM32F103C8T6的内部FLASH容量有64K，如果需要使 ...
STC芯片手册中，明确描述STC单片机是利用ISP/IAP技术将内部Data Flash当EEPROM，而且所有相关操作的寄存器前缀都是IAP，说明官方非常明确这种技术的本质。
不是我想要诟病手册里的表述，非要把FLASH IAP反复强调EEPROM这个概念，明显会和传统意义的EEPROM混淆，尤其是对初步了解STC的工程师非常不友好，会增加试错成本。
我倒建议STC官方给这种技术另外取个名字，甚至注册一种技术商标，既摆脱了偷换概念的嫌疑，又还是不错的卖点，何乐不为？
楼主讲得很好。 晓飛飛 发表于 2024-4-12 23:17
STC芯片手册中，明确描述STC单片机是利用ISP/IAP技术将内部Data Flash当EEPROM，而且所有相关操作的寄存 ...
说得在理