一线制温度传感器，DS18B20演示程序 - SPI/I2S/I2C，DMA支持的3组SPI和I2C，一线制温湿度传感器 - 国芯论 ...
{:lol:} 大神 这是啥问题 检测不到温度
#include<reg52.h>
#include<intrins.h>
#define uchar unsigned char
#define uint unsigned int
#define OVERTEMP 5
#define LCDIO P0//1602数据口
sbit DQ=P3^4;//ds18b20与单片机连接口
sbit rs=P3^0;//1602数据命令选择引脚
sbit rd=P3^1; //读写选择
sbit lcden=P3^5; //1602选通引脚
sbit OUTPUT_PIN = P3 ^ 3; // 温度报警输出端口P3.3
void DelayXus(uchar n);
void DS18B20_Reset();
void DS18B20_WriteByte(uchar dat);
uchar DS18B20_ReadByte();
float f_temp; //浮点型温度值
uint tvalue;//温度值
uchar tflag;
uchar code table[]= {"The temperature "}; //每行显示16个字符
uchar code table1[]= {"is:000.0C wfu"};
uchar data disdata;
void delay(uint z) //短延时
{
uint x,y;
for(x=z;x>0;x--)
for(y=110;y>0;y--);
}
void write_com(uchar com) //1602写命令子程序
{
rs=0; //RS是数据命令选择短，高电平写数据，低电平写命令
rd=0; //RD是读写选择短，高电平读，低电平写
lcden=0; //1602选通端，高电平选通，低电平禁止
LCDIO =com;
delay(5);
lcden=1;
delay(5);
lcden=0;
}
void write_date(uchar date) //1602写数据子程序
{
rs=1; //RS是数据命令选择短，高电平写数据，低电平写命令
rd=0; //RD是读写选择短，高电平读，低电平写
lcden=0; //1602选通端，高电平选通，低电平禁止
LCDIO =date;
delay(5);
lcden=1;
delay(5);
lcden=0;
}
void init() //1602初始化程序
{
uchar num;
lcden=0;
write_com(0x38); //0011 1000B，功能模式设置，设置为8为数据口，两行显示，5*7点阵
write_com(0x0c); //0000 1011B，显示开及光标设置，关显示，显示光标，光标闪烁
write_com(0x06); //0000 0110B，显示光标移动设置，读或写一个字符，地址指针减一且光标减一，写一个字符屏幕显示不移动
write_com(0x01); //0000 0001B，显示清屏，数据指针和所有显示清屏
write_com(0x80); //1000 000B，关闭显示
delay(5);
write_com(0x80); //1000 000B，设置为2行显示，写入第一行字符的地址，第一行地址是00-2F
for(num=0;num<16;num++)
{
write_date(table); //写入第一行数据
delay(5);
}
write_com(0x80+0x40); //1100 0000B,设置为2行显示，写入第二行字符的地址，第而行地址是40-67
for(num=0;num<16;num++) //写入第二行数据
{
write_date(table1);//写入第二行数据
delay(5);
}
}
/**************************************
延时X微秒(STC12C5A60S2@12M)
不同的工作环境,需要调整此函数
此延时函数是使用1T的指令周期进行计算,与传统的12T的MCU不同
**************************************/
void DelayXus(uchar n)
{
while (n--)
{
_nop_();
_nop_();
}
}
/**************************************
复位DS18B20,并检测设备是否存在
**************************************/
void DS18B20_Reset()
{
CY = 1;
while (CY)
{
DQ = 0; //送出低电平复位信号
DelayXus(240); //延时至少480us
DelayXus(240);
DQ = 1; //释放数据线
DelayXus(60); //等待60us
CY = DQ; //检测存在脉冲
DelayXus(240); //等待设备释放数据线
DelayXus(180);
}
}
/**************************************
从DS18B20读1字节数据
**************************************/
uchar DS18B20_ReadByte()
{
uchar i;
uchar dat = 0;
for (i=0; i<8; i++) //8位计数器
{
dat >>= 1;
DQ = 0; //开始时间片
DelayXus(1); //延时等待
DQ = 1; //准备接收
DelayXus(1); //接收延时
if (DQ) dat |= 0x80; //读取数据
DelayXus(60); //等待时间片结束
}
return dat;
}
/**************************************
向DS18B20写1字节数据
**************************************/
void DS18B20_WriteByte(uchar dat)
{
char i;
for (i=0; i<8; i++) //8位计数器
{
DQ = 0; //开始时间片
DelayXus(1); //延时等待
dat >>= 1; //送出数据
DQ = CY;
DelayXus(60); //等待时间片结束
DQ = 1; //恢复数据线
DelayXus(1); //恢复延时
}
}
unsigned int ReadTemp(void)
{
unsigned char a=0;
unsigned char b=0;
DS18B20_Reset(); //设备复位
DS18B20_WriteByte(0xCC); //跳过ROM命令
DS18B20_WriteByte(0x44); //开始转换命令
while (!DQ); //等待转换完成
DS18B20_Reset(); //设备复位
DS18B20_WriteByte(0xCC); //跳过ROM命令
DS18B20_WriteByte(0xBE); //读暂存存储器命令
a= DS18B20_ReadByte(); //读温度低字节
b= DS18B20_ReadByte(); //读温度高字节
tvalue=b;
tvalue<<=8;
tvalue=tvalue|a;
if(tvalue<0x0fff)
tflag=0;
else
{tvalue=~tvalue+1;
tflag=1;
}
//tvalue=tvalue*(0.425);//温度值扩大10倍，精确到1位小数
f_temp=tvalue*(0.0625); // 温度在寄存器中为12位，分辨率为0.0625
tvalue=f_temp*10+0.5; //乘以10表示小数点后面只取1位，加0.5时四舍五入
//f_temp=f_temp+0.05;
//f_temp=tvalue*(0.0625);
//tvalue=f_temp*100+(tvalue>0?0.5:-0.5);
if ( tvalue> OVERTEMP)
{
OUTPUT_PIN = 1; // 温度超过上限，输出高电平
}
else if ( tvalue < OVERTEMP)
{
OUTPUT_PIN = 0; // 温度低于下限，输出低电平
}
return(tvalue);
}
void ds1820disp()//温度值显示
{ uchar flagdat;
disdata=tvalue/1000+0x30;//百位数
disdata=tvalue%1000/100+0x30;//十位数
disdata=tvalue%100/10+0x30;//个位数
disdata=tvalue%10+0x30;//小数位
if(tflag==0)
flagdat=0x20;//正温度不显示符号
else
flagdat=0x2d;//负温度显示负号:-
if(disdata==0x30)
{disdata=0x20;//如果百位为0，不显示
if(disdata==0x30)
{disdata=0x20;//如果百位为0，十位为0也不显示
}
}
write_com(0x80+0x44); //1100 0000B,设置为2行显示，写入第二行字符的地址，第而行地址是40-67
write_date(flagdat);//显示符号位
write_com(0x80+0x45);
write_date(disdata);//显示百位
write_com(0x80+0x46);
write_date(disdata);//显示十位
write_com(0x80+0x47);
write_date(disdata);//显示个位
write_com(0x80+0x48);
write_date(0x2e);//显示小数点
write_com(0x80+0x49);
write_date(disdata);//显示小数位
write_com(0x80+0x4a);
write_date('C');
}
void main()
{
init();
ReadTemp();//读取温度
ds1820disp();//显示
while(1)
{
ReadTemp();//读取温度
ds1820disp();//显示
}
}
STC8H 比 STC15 同频快，你加点延时
一线制温度传感器，DS18B20演示程序 - SPI/I2S/I2C，DMA支持的3组SPI和I2C，一线制温湿度传感器 - 国芯论坛-STC全球32位8051爱好者互助交流社区 - STC全球32位8051爱好者互助交流社区 (stcaimcu.com)
深圳国芯人工智能有限公司-实验箱 (stcai.com)
神农鼎 发表于 2024-3-19 16:14
STC8H 比 STC15 同频快，你加点延时
谢谢，只改延时就行了吗 看对方时序图，肯定从 STC8改到STC15 只需要改时序相关部分
主控STC15F104W，OLED中文显示，DS18B20测温
程序源码链接：https://pan.baidu.com/s/140X_tEcWjTDbEZ-eh7H4MA提取码：10ea
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