19-使用LVD低压检测中断保存EEPROM，STC32G144K246实验箱演示程序
19-使用LVD低压检测中断保存EEPROM，STC32G144K246实验箱演示程序主程序main.C代码如下（汇编版本在附件中）：
/*---------------------------------------------------------------------*/
/* --- Web: www.STCAI.com ---------------------------------------------*/
/* --- BBS: www.STCAIMCU.com-----------------------------------------*/
/* 如果要在程序中使用此代码,请在程序中注明使用了STC的资料及程序 */
/*---------------------------------------------------------------------*/
/*************本程序功能说明**************
本例程基于STC32G144K246为主控芯片的实验箱进行编写测试。
使用Keil C251编译器，Memory Model推荐设置XSmall模式，默认定义变量在edata，单时钟存取访问速度快。
edata建议保留1K给堆栈使用，空间不够时可将大数组、不常用变量加xdata关键字定义到xdata空间。
用STC的MCU的IO方式驱动8位数码管。
使用Timer0的16位自动重装来产生1ms节拍,程序运行于这个节拍下,用户修改MCU主时钟频率时,自动定时于1ms.
用户可以在"用户定义宏"中修改掉电保存的EEPROM地址。
显示效果为: 上电后显示秒计数, 计数范围为0~10000，显示在右边的5个数码管。
当掉电后，MCU进入低压中断，对秒计数进行保存。MCU上电时读出秒计数继续显示。
用户可以在"用户定义宏"中选择滤波电容大还是小。
大的电容(比如1000uF)，则掉电后保持的时间长，可以在低压中断中擦除后(需要20多ms时间)然后写入。
小的电容，则掉电后保持的时间短, 则必须在主程序初始化时先擦除.
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
注意：下载时，下载界面"硬件选项"中下面的项要固定如下设置:
不勾选允许低压复位(禁止低压中断)；低压检测电压选择最大值。
设置用户EEPROM大小，并确保"用户定义宏"中设定的地址在EEPROM设置的大小范围之内。
修改过硬件选项，需要给单片机重新上电后才会生效。
选择时钟 48MHz (用户可自行修改频率)。
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
不建议直接使用低压中断检测低电压然后保存EEPROM数据，
因为产生低压中断时MCU电压已经很低，不一定有足够的时间进行擦除/保存EEPROM数据；
建议参考规格书比较器章节范例程序，使用比较器做外部掉电检测例子，
通过比较器检测稳压管前端输入电压值，这样才有足够时间进行擦除/保存EEPROM数据。
******************************************/
#include "..\..\comm\STC32G144K246.h"
typedef unsigned char u8;
typedef unsigned int u16;
typedef unsigned long u32;
/****************用户定义宏****************/
#define MAIN_Fosc 48000000UL
#define DIS_DOT 0x20
#define DIS_BLACK 0x10
#define DIS_ 0x11
#define LargeCapacitor0 //0: 滤波电容比较小,1: 滤波电容比较大
#define EE_ADDRESS0x000000//保存的EEPROM起始地址
#define Timer0_Reload (65536UL -(MAIN_Fosc / 1000)) //Timer 0 中断频率, 1000次/秒
#define Tip_Delay (MAIN_Fosc / 1000000)
/****************本地常量声明**************/
u8 code t_display[]={ //标准字库
// 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F
0x3F,0x06,0x5B,0x4F,0x66,0x6D,0x7D,0x07,0x7F,0x6F,0x77,0x7C,0x39,0x5E,0x79,0x71,
//black- H J K L N o P U t G Q r M y
0x00,0x40,0x76,0x1E,0x70,0x38,0x37,0x5C,0x73,0x3E,0x78,0x3d,0x67,0x50,0x37,0x6e,
0xBF,0x86,0xDB,0xCF,0xE6,0xED,0xFD,0x87,0xFF,0xEF,0x46}; //0. 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. -1
u8 code T_COM[]={0x01,0x02,0x04,0x08,0x10,0x20,0x40,0x80}; //位码
/****************本地变量声明**************/
u8LED8; //显示缓冲
u8display_index;//显示位索引
bit B_1ms; //1ms标志
u16 msecond;
u16 Test_cnt; //测试用的秒计数变量
u8tmp; //通用数组
/****************本地函数声明**************/
void Display(void);
void DisableEEPROM(void);
void EEPROM_read_n(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u16 number);
void EEPROM_write_n(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u16 number);
void EEPROM_SectorErase(u32 EE_address);
/********************** 主函数 ************************/
void main(void)
{
u8i;
EAXFR = 1; //扩展寄存器(XFR)访问使能
CKCON = 0; //提高访问XRAM速度
P0M1 = 0x00; P0M0 = 0xff; //设置为推挽输出
P4M1 = 0x00; P4M0 = 0xc0; //设置为推挽输出
PAM1 = 0x00; PAM0 = 0xff; //设置为推挽输出
display_index = 0;
for(i=0; i<8; i++)LED8 = DIS_BLACK; //全部消隐
AUXR = 0x80; //Timer0 set as 1T, 16 bits timer auto-reload,
TH0 = (u8)(Timer0_Reload / 256);
TL0 = (u8)(Timer0_Reload % 256);
ET0 = 1; //Timer0 interrupt enable
TR0 = 1; //Tiner0 run
EA = 1; //打开总中断
for(msecond=0; msecond < 200; ) //延时200ms
{
if(B_1ms) //1ms到
{
B_1ms = 0;
msecond ++;
}
}
EEPROM_read_n(EE_ADDRESS,tmp,2); //读出2字节
Test_cnt = ((u16)tmp << 8) + tmp; //秒计数
if(Test_cnt > 10000) Test_cnt = 0; //秒计数范围为0~10000
#if (LargeCapacitor == 0) //滤波电容比较小，电容保持时间比较短，则先擦除
EEPROM_SectorErase(EE_ADDRESS); //擦除一个扇区
#endif
Display(); //显示秒计数
LVDF = 0; //低压检测标志清0
ELVD = 1; //低压监测中断允许
PLVD = 1; //低压中断 优先级高
while(1)
{
if(B_1ms) //1ms到
{
B_1ms = 0;
if(++msecond >= 1000) //1秒到
{
msecond = 0; //清1000ms计数
Test_cnt++; //秒计数+1
if(Test_cnt > 10000) Test_cnt = 0; //秒计数范围为0~10000
Display(); //显示秒计数
}
}
}
}
/********************** 低压中断函数 ************************/
void LVD_Routine(void) interrupt 6
{
u8i;
PAOUT = 0xff; //先关闭显示，省电
P46 = 0;
#if (LargeCapacitor > 0) //滤波电容比较大，电容保持时间比较长(50ms以上)，则在中断里擦除
EEPROM_SectorErase(EE_ADDRESS); //擦除一个扇区
#endif
tmp = (u8)(Test_cnt >> 8);
tmp = (u8)Test_cnt;
EEPROM_write_n(EE_ADDRESS,tmp,2);
P46 = 1;
while(LVDF) //检测是否仍然低电压
{
LVDF = 0; //低压检测标志清0
for(i=0; i<100; i++) ; //延时一下
}
}
/********************** 显示计数函数 ************************/
void Display(void)
{
u8i;
LED8 = Test_cnt / 10000;
LED8 = (Test_cnt % 10000) / 1000;
LED8 = (Test_cnt % 1000) / 100;
LED8 = (Test_cnt % 100) / 10;
LED8 = Test_cnt % 10;
for(i=3; i<7; i++)//消无效0
{
if(LED8 > 0) break;
LED8 = DIS_BLACK;
}
}
//========================================================================
// 函数: void ISP_Disable(void)
// 描述: 禁止访问ISP/IAP.
// 参数: non.
// 返回: non.
// 版本: V1.0, 2012-10-22
//========================================================================
void DisableEEPROM(void)
{
IAP_CONTR = 0; //关闭 IAP 功能
IAP_CMD = 0; //清除命令寄存器
IAP_TRIG = 0; //清除触发寄存器
IAP_ADDRE = 0xff; //将地址设置到非 IAP 区域
IAP_ADDRH = 0xff; //将地址设置到非 IAP 区域
IAP_ADDRL = 0xff;
}
//========================================================================
// 函数: void EEPROM_read_n(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u16 number)
// 描述: 从指定EEPROM首地址读出n个字节放指定的缓冲.
// 参数: EE_address:读出EEPROM的首地址.
// DataAddress: 读出数据放缓冲的首地址.
// number: 读出的字节长度.
// 返回: non.
// 版本: V1.0, 2012-10-22
//========================================================================
void EEPROM_read_n(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u16 number)
{
EA = 0; //禁止中断
IAP_CONTR = 0x80; //使能 IAP
IAP_TPS = Tip_Delay; //设置擦除等待参数 48MHz
IAP_CMD = 1;//设置 IAP 读命令
do
{
IAP_ADDRE = (u8)(EE_address >> 16); //送地址高字节（地址需要改变时才需重新送地址）
IAP_ADDRH = (u8)(EE_address >> 8);//送地址中字节（地址需要改变时才需重新送地址）
IAP_ADDRL = (u8)EE_address; //送地址低字节（地址需要改变时才需重新送地址）
IAP_TRIG = 0x5a; //写触发命令(0x5a)
IAP_TRIG = 0xa5; //写触发命令(0xa5)
_nop_(); //由于STC32G是多级流水线的指令系统，触发命令后建议加4个NOP，保证IAP_DATA的数据完成准备
_nop_();
_nop_();
_nop_();
*DataAddress = IAP_DATA; //读 IAP 数据
EE_address++;
DataAddress++;
}while(--number);
DisableEEPROM();
EA = 1; //重新允许中断
}
//========================================================================
// 函数: void EEPROM_SectorErase(u32 EE_address)
// 描述: 把指定地址的EEPROM扇区擦除.
// 参数: EE_address:要擦除的扇区EEPROM的地址.
// 返回: non.
// 版本: V1.0, 2013-5-10
//========================================================================
void EEPROM_SectorErase(u32 EE_address)
{
EA = 0; //禁止中断
IAP_CONTR = 0x80; //使能 IAP
IAP_TPS = Tip_Delay; //设置擦除等待参数 48MHz
IAP_CMD = 3; //设置 IAP 擦除命令
IAP_ADDRE = (u8)(EE_address >> 16); //送扇区地址高字节（地址需要改变时才需重新送地址）
IAP_ADDRH = (u8)(EE_address >> 8);//送扇区地址中字节（地址需要改变时才需重新送地址）
IAP_ADDRL = (u8)EE_address; //送扇区地址低字节（地址需要改变时才需重新送地址）
IAP_TRIG = 0x5a; //写触发命令(0x5a)
IAP_TRIG = 0xa5; //写触发命令(0xa5)
_nop_(); //由于STC32G是多级流水线的指令系统，触发命令后建议加4个NOP，保证IAP_DATA的数据完成准备
_nop_();
_nop_();
_nop_();
DisableEEPROM();
EA = 1; //重新允许中断
}
//========================================================================
// 函数: void EEPROM_write_n(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u16 number)
// 描述: 把缓冲的n个字节写入指定首地址的EEPROM.
// 参数: EE_address:写入EEPROM的首地址.
// DataAddress: 写入源数据的缓冲的首地址.
// number: 写入的字节长度.
// 返回: non.
// 版本: V1.0, 2012-10-22
//========================================================================
void EEPROM_write_n(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u16 number)
{
EA = 0; //禁止中断
IAP_CONTR = 0x80; //使能 IAP
IAP_TPS = Tip_Delay; //设置擦除等待参数 48MHz
IAP_CMD = 2;//设置 IAP 写命令
do
{
IAP_ADDRE = (u8)(EE_address >> 16); //送地址高字节（地址需要改变时才需重新送地址）
IAP_ADDRH = (u8)(EE_address >> 8);//送地址中字节（地址需要改变时才需重新送地址）
IAP_ADDRL = (u8)EE_address; //送地址低字节（地址需要改变时才需重新送地址）
IAP_DATA = *DataAddress; //写 IAP 数据
IAP_TRIG = 0x5a; //写触发命令(0x5a)
IAP_TRIG = 0xa5; //写触发命令(0xa5)
_nop_(); //由于STC32G是多级流水线的指令系统，触发命令后建议加4个NOP，保证IAP_DATA的数据完成准备
_nop_();
_nop_();
_nop_();
EE_address++;
DataAddress++;
}while(--number);
DisableEEPROM();
EA = 1; //重新允许中断
}
/********************** 显示扫描函数 ************************/
void DisplayScan(void)
{
PAOUT = ~T_COM;
P0 = ~t_display];
if(++display_index >= 8) display_index = 0;//8位结束回0
}
/********************** Timer0 1ms中断函数 ************************/
void timer0 (void) interrupt 1
{
DisplayScan();//1ms扫描显示一位
B_1ms = 1; //1ms标志
}
页:
[1]