关于AI MCU上的dying gasp想法
搜索了一下，没有关于dying gasp的讨论。假如电源上接一个电容，利用低压中断，能否在断电前完成数据的EEPROM保存？
如果不加电容，有没有机会完成dying gasp呢？
最近看到头条一篇文章，他可能没加电容，但是提前把EEPROM擦除，等到低压中断就立即写入，这样才能成功，所以想到如果增加一个电容，是不是成功率更高。
另外AI MCU的芯片以后会不会考虑专门的dying gasp电路支持呢？这个还是很有意义，对于保存当前数据信息什么的。
我认为，最好的解决方案是增加RTC后备电池引脚，部分RAM区支持后备电池保持。这样不但解决了掉电走时问题，而且满足了参数保存需求。
对于非实时更新的参数，可以存于Flash区，对于实时更新的参数，就使用后备电池保持RAM区。 晓飛飛 发表于 2025-1-4 14:05
我认为，最好的解决方案是增加RTC后备电池引脚，部分RAM区支持后备电池保持。这样不但解决了掉电走时问题 ...
这个主意好 晓飛飛 发表于 2025-1-4 14:05
我认为，最好的解决方案是增加RTC后备电池引脚，部分RAM区支持后备电池保持。这样不但解决了掉电走时问题 ...
欸，，现存的单片机中有全片RAM都是电池供电的么0.0
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