shaw 发表于 2024-10-13 12:01:31

用单片机IO口驱动大功率场效应管方案



请教
用单片机IO口驱动大功率场效应管方案

WHX 发表于 2024-10-13 14:43:49

一般都不会这样直接采用MCU的IO口直接驱动大功率MOS管的，不实用。基本上都是通过驱动电路（分立器件驱动电路或集成驱动电路）来驱动大功率MOS管，这样的应用也最普遍、最常用。

晓飛飛 发表于 2024-10-13 15:16:35

大功率场效应管分为N沟道和P沟道两类，在数字电路钟，按工作状态一般分为静态开关和PWM两类，不同的场效应管和不同的工作状态下，驱动方法也不同
需要考虑场效应管的VGSth和单片机IO输出的电平是否匹配，如果单片机输出电平>VGSth，且电路属于静态开关的方式，那可以用IO直驱大功率场效应管
如果单片机的输出电平＜VGSth，那是不能直驱的，或者MOS需要工作在PWM方式下，由于大功率MOS的Cg比较大，充放电需要的电流也很大，这是用单片机IO直驱是会造成VGS上升和下降沿变宽，MOS发热加重甚至烧毁。

WHX 发表于 2024-10-13 17:02:47

晓飛飛 发表于 2024-10-13 15:16
大功率场效应管分为N沟道和P沟道两类，在数字电路钟，按工作状态一般分为静态开关和PWM两类，不同的场效应 ...

说得对，确实如此！{:4_250:}

DebugLab 发表于 2024-10-13 17:35:21

https://www.stcaimcu.com/forum.php?mod=redirect&goto=findpost&ptid=4646&pid=31602

DebugLab 发表于 2024-10-13 17:40:39

https://www.stcaimcu.com/forum.php?mod=redirect&goto=findpost&ptid=4646&pid=31471

DebugLab 发表于 2024-10-13 17:41:36

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