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AI32位8051交流社区,车规 AEC-Q100 Grade1
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EEPROM/DataFlash
› 做电磁辐射干扰实验,STC8H单片机EEPROM内容紊乱
CXZ
发表于 2024-8-12 09:40:30
做电磁辐射干扰实验,STC8H单片机EEPROM内容紊乱
在做电磁辐射抗干扰实验时候,发现之前写入EEPROM的数据发生错误,几乎所有的EEPROM数据都错误,这个情况有什么办法可以规避一下?
DebugLab
发表于 2024-8-12 10:18:11
确保电源稳定
擦除后查空
读取CMD_FAIL位判断是否出现错误操作
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做电磁辐射干扰实验,STC8H单片机EEPROM内容紊乱