怎么擦除任意地址的eeprom里的数据

te*** · 发表于 2023-11-14 16:02:29

请教大师：EEPROM_SectorErase(0x0000); 是将EEPROM里的数据全擦除吗？我想只擦除一个字节，怎么做？比如我想擦除地址0x0066里面的内容，但其他地址的内容保留,我该怎么做。谢谢

yan*** · 发表于 2023-11-14 17:19:14

可以看下文档资料，也有相应的例程，里面有详细的讲解

社区*** · 发表于 2023-11-14 18:39:00

可以写个函数实现这个功能。
我在移植grbl到stc8就是这么做的。

te*** · 发表于 2023-11-14 20:32:44

感谢大师们回复，再请教个问题，如果要擦除第2扇区怎么写：EEPROM_SectorErase(512);，这样写对吗？

yan*** · 发表于 2023-11-15 08:30:21

第一个扇区首地址0x00，第二个0x200

程序可以用下面的语句来实现：
add+=0x200;

梁*** · 发表于 2023-11-15 10:30:07

tech 发表于 2023-11-14 20:32
感谢大师们回复，再请教个问题，如果要擦除第2扇区怎么写：EEPROM_SectorErase(512);，这样写对吗？ ...

可以，擦除第2个扇区（扇区1）的地址可以使用512~1023均可。

te*** · 发表于 2023-11-15 13:48:15

谢谢大师们的回复。

huh*** · 发表于 2023-12-3 19:59:31

不支持，只能按一页（512字节）擦出，如果要按位就只能用外部EEPROM硬件，比如2402/2404/2416

xhb*** · 发表于 2023-12-12 16:21:14

有的时候还是需要EEPROM，STC官方其实可以考虑增加EEPROM硬件，这样使用的时候比DATAFLASH灵活一些。

神*** · 发表于 2023-12-12 16:30:46

xhbwork 发表于 2023-12-12 16:21
有的时候还是需要EEPROM，STC官方其实可以考虑增加EEPROM硬件，这样使用的时候比DATAFLASH灵活一些。 ...

理解，主要还是成本，我主导 SST的 MCU 时，是双 BANK FLASH,
IAP时，CPU 不停，就是成本会高些，后续豪华版，会考虑双 BANK FLASH
现在的解决方案：用比较器，平常放在 RAM中，掉电时再写回去

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